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1. WO2020116340 - PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELLULE SOLAIRE

Numéro de publication WO/2020/116340
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/046782
Date du dépôt international 29.11.2019
CIB
H01L 31/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/225 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
22Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
225en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
Déposants
  • 東レ株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 弓場智之 YUBA, Tomoyuki
  • 門田祥次 KADOTA, Shoji
  • 守屋豪 MORIYA, Go
Données relatives à la priorité
2018-22958307.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 半導体素子の製造方法、および、太陽電池の製造方法
Abrégé
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a method for producing a semiconductor element, which enables a solar cell having a selective emitter structure to be produced using a simple method without the need for complex equipment, with the impurity concentration in the semiconductor element exhibiting excellent in-plane uniformity, and a method for producing a solar cell. In order to achieve the foregoing, the present invention is a method for producing a semiconductor element by forming, on a semiconductor substrate, impurity diffusion layer regions which are of the same type but which have impurity concentrations that differ by two or more levels. Of these regions, impurity diffusion layer regions having impurity concentrations that differ by two or more levels are formed by means of a method that includes a step for coating an impurity diffusion composition (a) on the semiconductor substrate so as to partially form an impurity diffusion composition film (b) and a step for heating the impurity diffusion composition film so as to cause impurities to diffuse into the semiconductor substrate and form an impurity diffusion layer region (c). The impurity diffusion composition (a) contains (a-1) a polymer of a silane compound having a specific structure and (a-2) an impurity diffusion component.
(FR)
Le but de la présente invention est de fournir un procédé de production d'un élément semi-conducteur, qui permet de produire une cellule solaire ayant une structure d'émetteur sélective à l'aide d'un procédé simple sans nécessiter d'équipement complexe, la concentration en impuretés dans l'élément semi-conducteur présentant une excellente uniformité dans le plan, et un procédé de production d'une cellule solaire. Afin d'atteindre ce qui précède, la présente invention est un procédé de production d'un élément semi-conducteur par formation, sur un substrat semi-conducteur, de régions de couche de diffusion d'impuretés qui sont du même type mais qui ont des concentrations d'impuretés qui diffèrent d'au moins deux niveaux. De ces régions, des régions de couche de diffusion d'impuretés ayant des concentrations d'impuretés qui diffèrent d'au moins deux niveaux sont formées au moyen d'un procédé qui comprend une étape de revêtement d'une composition de diffusion d'impuretés (a) sur le substrat semi-conducteur de façon à former partiellement un film de composition de diffusion d'impuretés (b) et une étape consistant à chauffer le film de composition de diffusion d'impuretés de façon à amener les impuretés à se diffuser dans le substrat semi-conducteur et à former une région de couche de diffusion d'impuretés (c). La composition de diffusion d'impuretés (a) contient (a -1) un polymère d'un composé de silane ayant une structure spécifique et (a-2) un composant de diffusion d'impuretés.
(JA)
本発明は、選択エミッタ構造を有する太陽電池を、複雑な装置を必要とせず簡便な方法で製造することを可能にし、不純物濃度の面内の均一性に優れた半導体素子の製造方法、および、太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。 上記目的を達するための本発明は、半導体基板上に2水準以上の異なる不純物濃度で同じ型の不純物拡散層領域を形成する半導体素子の製造方法であって、うち、少なくとも1水準以上の不純物拡散層領域が、不純物拡散組成物(a)を半導体基板に塗布して部分的に不純物拡散組成物膜(b)を形成する工程とそれを加熱して不純物を半導体基板に拡散させて不純物拡散層領域(c)を形成する工程を含む方法により形成され、不純物拡散組成物(a)が (a-1)特定の構造を有するシラン化合物の重合体、および (a-2)不純物拡散成分 を含む半導体素子の製造方法である。
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