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1. WO2020116275 - FEUILLE COMPOSITE FORMANT UN FILM DE PROTECTION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PUCE SEMI-CONDUCTRICE

Numéro de publication WO/2020/116275
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/046354
Date du dépôt international 27.11.2019
CIB
H01L 23/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 21/301 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
Déposants
  • リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 山本 大輔 YAMAMOTO Daisuke
Mandataires
  • 西澤 和純 NISHIZAWA Kazuyoshi
  • 五十嵐 光永 IGARASHI Koei
  • 加藤 広之 KATO Hiroyuki
Données relatives à la priorité
2018-22852405.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PROTECTIVE FILM-FORMING COMPOSITE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) FEUILLE COMPOSITE FORMANT UN FILM DE PROTECTION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PUCE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a protective film-forming composite sheet comprising: a support sheet; and a protective film-forming film, formed on one surface of the support sheet. The surface resistivity of the outermost layer on the support sheet side of the protective film-forming composite sheet, after expanding the protective film-forming film in a surface direction under conditions where the push-up speed is 10 mm/sec and the push-up height is 20 mm, and in an environment having a temperature of 23°C, is 1.0×1011 Ω/□ or less.
(FR)
La présente invention concerne une feuille composite formant un film de protection comprenant : une feuille de support ; et un film formant un film de protection, formé sur une surface de la feuille de support. La résistivité en surface de la couche la plus à l'extérieur du côté feuille de support de la feuille composite formant un film de protection, après expansion du film formant un film de protection dans une direction de surface dans des conditions où la vitesse de poussée est de 10 mm/sec et la hauteur de poussée est de 20 mm, et dans un environnement ayant une température de 23 °C, est inférieure ou égale à 1,0 × 1011 Ω/□.
(JA)
本発明は、支持シートと、前記支持シートの一方の面上に形成された保護膜形成用フィルムとを備えた保護膜形成用複合シートに関し、温度23℃の環境下において、突き上げ速度10mm/sec、突き上げ高さ20mmの条件で、前記保護膜形成用フィルムを表面方向にエキスパンドした後の、前記保護膜形成用複合シートの前記支持シート側の最表層の表面抵抗率が、1.0×1011Ω/□以下である。
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