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1. WO2020116263 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE COMMANDE ÉLECTRONIQUE AUTOMOBILE L'UTILISANT

Numéro de publication WO/2020/116263
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/046273
Date du dépôt international 27.11.2019
CIB
H01L 21/82 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
H01L 21/822 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 21/8234 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
H01L 27/088 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085comprenant uniquement des composants à effet de champ
088les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
Déposants
  • 日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 池ヶ谷 克己 IKEGAYA Katsumi
  • 大島 隆文 OSHIMA Takayuki
  • 小林 洋一郎 KOBAYASHI Yoichiro
  • 北 雅人 KITA Masato
  • 小森山 恵士 KOMORIYAMA Keishi
  • 右田 稔 MIGITA Minoru
  • 川越 悠 KAWAGOE Yu
  • 菅野 清隆 KANNO Kiyotaka
Mandataires
  • 戸田 裕二 TODA Yuji
Données relatives à la priorité
2018-22740804.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND AUTOMOTIVE ELECTRONIC CONTROL DEVICE USING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE COMMANDE ÉLECTRONIQUE AUTOMOBILE L'UTILISANT
(JA) 半導体装置およびそれを用いた車載用電子制御装置
Abrégé
(EN)
Provided is a highly-reliable semiconductor device provided with a current mirror circuit, said semiconductor device being capable of suppressing fluctuations over time in the mirror ratio of the current mirror circuit. The semiconductor device is characterized by comprising a current mirror circuit having a first MOS transistor and a plurality of MOS transistors that form a pair with the first MOS transistor, and a plurality of wiring layers formed on the upper layer of the MOS transistors, wherein the plurality of wiring layers is positioned so that each wiring pattern has the same form within a prescribed range from a channel region end section of each MOS transistor of the plurality of MOS transistors and the first MOS transistor.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur hautement fiable comprenant un circuit de miroir de courant, ledit dispositif à semi-conducteur étant apte à supprimer des fluctuations dans le temps dans le rapport de miroir du circuit de miroir de courant. Le dispositif à semi-conducteur est caractérisé en ce qu'il comprend un circuit miroir de courant ayant un premier transistor MOS et une pluralité de transistors MOS qui forment une paire avec le premier transistor MOS, et une pluralité de couches de câblage formées sur la couche supérieure des transistors MOS, la pluralité de couches de câblage étant positionnée de telle sorte que chaque motif de câblage a la même forme dans une plage prescrite à partir d'une section d'extrémité de région de canal de chaque transistor MOS de la pluralité de transistors MOS et du premier transistor MOS.
(JA)
カレントミラー回路を備える半導体装置において、カレントミラー回路のミラー比の経時変化を抑制可能な信頼性の高い半導体装置を提供する。 第1MOSトランジスタと前記第1MOSトランジスタと対をなす複数のMOSトランジスタを有するカレントミラー回路と、前記MOSトランジスタの上層に形成される複数の配線層と、を備え、前記複数の配線層は、前記第1MOSトランジスタおよび前記複数のMOSトランジスタの各MOSトランジスタのチャネル領域端部から所定の範囲内において、各配線パターンが同一形状となるように配置されていることを特徴とする。
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