Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020116259 - DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA

Numéro de publication WO/2020/116259
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/046238
Date du dépôt international 26.11.2019
CIB
H05H 1/46 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24Production du plasma
46utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H01L 21/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
H01L 21/683 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 平山 昌樹 HIRAYAMA Masaki
Mandataires
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柏岡 潤二 KASHIOKA Junji
Données relatives à la priorité
2018-22924406.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PLASMA PROCESSING DEVICE AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Abrégé
(EN)
The plasma processing device according to one exemplified embodiment is provided with a processing container, a stage, a top electrode, and an introduction unit. The stage is provided within the processing container. The top electrode is provided above the stage through the space in the processing container. The introduction unit introduces a high-frequency wave that is a VHF wave and is provided at a lateral direction end in the space in the processing container. The stage includes a body and a conductive layer. The body is formed of an insulating body. The conductive layer is provided within the body. The conductive layer has the shortest distance from the upper surface of the stage among one or more conductive layers provided within the stage. The conductive layer is formed annularly.
(FR)
Selon un mode de réalisation, le dispositif de traitement par plasma de l'invention est équipé d'un réceptacle de traitement, d'une platine, d'une électrode de partie supérieure et d'une partie induction. La platine est agencée à l'intérieur du réceptacle de traitement. L'électrode de partie supérieure est agencée au-dessus de la platine avec un espace à l'intérieur du réceptacle de traitement pour intermédiaire. La partie induction est une partie induction d'ondes haute fréquence consistant en des ondes très haute fréquence, et est agencée dans une partie extrémité de direction latérale de l'espace à l'intérieur du réceptacle de traitement. La platine contient un corps principal et des couches conductrices. Le corps principal est formé à partir d'un corps isolant. Les couches conductrices sont agencées à l'intérieur du corps principal. Les couches conductrices présentent la distance la plus courte à partir de la face supérieure de la platine, parmi la couche conductrice ou les couches conductrices agencées à l'intérieur de la platine. Les couches conductrices prennent une forme circulaire.
(JA)
一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置は、処理容器、ステージ、上部電極、及び導入部を備える。ステージは、処理容器内に設けられている。上部電極は、ステージの上方に処理容器内の空間を介して設けられている。導入部は、VHF波である高周波の導入部であり、処理容器内の空間の横方向端部に設けられている。ステージは、本体及び導電層を含む。本体は、絶縁体から形成されている。導電層は、本体内に設けられている。導電層は、ステージ内に設けられた一つ以上の導電層のうちステージの上面から最短の距離を有する。導電層は、環状に形成されている。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international