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1. WO2020116255 - DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA

Numéro de publication WO/2020/116255
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/046231
Date du dépôt international 26.11.2019
CIB
H05H 1/46 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24Production du plasma
46utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
CPC
H05H 1/46
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE
1Generating plasma; Handling plasma
24Generating plasma
46using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 平山 昌樹 HIRAYAMA Masaki
Mandataires
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柏岡 潤二 KASHIOKA Junji
Données relatives à la priorité
2018-22923906.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Abrégé
(EN)
A plasma processing apparatus according to one exemplary embodiment of the present invention is provided with a processing container, a stage, an upper electrode, an introduction part and a waveguide part. The stage is provided within the processing container. The upper electrode is provided above the stage with a space within the processing container being interposed therebetween. The introduction part is an introduction part for high frequency waves. The high frequency waves are VHF waves or UHF waves. The introduction part is provided at an end of the space in the lateral direction, and extends in the circumferential direction around the central axis line of the processing container. The waveguide part is configured so as to supply high frequency waves to the introduction part. The waveguide part comprises a resonator that provides a waveguide. The waveguide of the resonator extends in the circumferential direction around the central axis line, while extending in the direction in which the central axis line extends; and the waveguide of the resonator is connected to the introduction part.
(FR)
Selon un mode de réalisation, le dispositif de traitement par plasma de l'invention est équipé d'un réceptacle de traitement, d'une platine, d'une électrode de partie supérieure, d'une partie induction et d'une partie guide d'ondes. La platine est agencée à l'intérieur du réceptacle de traitement. L'électrode de partie supérieure est agencée au-dessus de la platine avec un espace à l'intérieur du réceptacle de traitement pour intermédiaire. La partie induction consiste en une partie induction d'ondes haute fréquence. Les ondes haute fréquence consistent en des ondes très hautes fréquences ou des ondes ultra hautes fréquences. La partie induction est agencée dans une partie extrémité de direction latérale d'un espace, et se prolonge dans une direction périphérique autour d'une ligne d'axe central du réceptacle de traitement. La partie guide d'ondes est configurée de manière à alimenter la partie induction en ondes haute fréquence, et contient un résonateur fournissant un guide d'ondes. Le guide d'ondes du résonateur s'étend dans la direction périphérique autour de la ligne d'axe central, s'étend dans une direction de prolongement de la ligne d'axe central, et est connecté à la partie induction.
(JA)
例示的実施形態に係るプラズマ処理装置は、処理容器、ステージ、上部電極、導入部、及び導波部を備える。ステージは、処理容器内に設けられている。上部電極は、ステージの上方に処理容器内の空間を介して設けられている。導入部は、高周波の導入部である。高周波は、VHF波又はUHF波である。導入部は、空間の横方向端部に設けられており、処理容器の中心軸線の周りで周方向に延在している。導波部は、導入部に高周波を供給するように構成されている。導波部は、導波路を提供する共振器を含む。共振器の導波路は、中心軸線の周りで周方向に延び、中心軸線が延在する方向に延び、導入部に接続されている。
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