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1. WO2020116169 - DISPOSITIF DE RECUIT ET PROCÉDÉ DE RECUIT

Numéro de publication WO/2020/116169
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/045461
Date du dépôt international 20.11.2019
CIB
H01L 21/265 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263par des radiations d'énergie élevée
265produisant une implantation d'ions
H01L 21/268 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263par des radiations d'énergie élevée
268les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
Déposants
  • 住友重機械工業株式会社 SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 田中 哲平 TANAKA, Teppei
Mandataires
  • 来山 幹雄 KITAYAMA, Mikio
Données relatives à la priorité
2018-22643503.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ANNEALING DEVICE AND ANNEALING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE RECUIT ET PROCÉDÉ DE RECUIT
(JA) アニール装置及びアニール方法
Abrégé
(EN)
In the present invention, a heating unit heats the surface of an annealing object and temporarily melts a surface layer section thereof. A sensor detects thermal emission light from the annealing object that was heated by the heating unit. A processing unit estimates the results of annealing the annealing object, on the basis of a waveform showing the temporal changes in the strength of the thermal emission light detected by the sensor.
(FR)
Dans la présente invention, une unité de chauffage chauffe la surface d'un objet de recuit et fait fondre temporairement une section de couche de surface de celui-ci. Un capteur détecte la lumière d'émission thermique provenant de l'objet de recuit qui a été chauffé par l'unité de chauffage. Une unité de traitement estime les résultats de recuit de l'objet de recuit, sur la base d'une forme d'onde montrant les changements temporels dans l'intensité de la lumière d'émission thermique détectée par le capteur.
(JA)
加熱部が、アニール対象物の表面を加熱して表層部を一時的に溶融させる。加熱部によって加熱されたアニール対象物からの熱放射光がセンサによって検出される。処理部が、センサによって検出された熱放射光の強度の時間変化を示す波形に基づいて、アニール対象物のアニール結果を推定する。
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