Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020116148 - PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE

Numéro de publication WO/2020/116148
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/045212
Date du dépôt international 19.11.2019
CIB
C30B 29/40 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
40Composés AIII BV
C30B 25/18 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02Croissance d'une couche épitaxiale
18caractérisée par le substrat
Déposants
  • 日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 中尾 亮 NAKAO, Ryo
  • 佐藤 具就 SATO, Tomonari
Mandataires
  • 山川 茂樹 YAMAKAWA, Shigeki
  • 小池 勇三 KOIKE, Yuzo
  • 山川 政樹 YAMAKAWA, Masaki
  • 本山 泰 MOTOYAMA, Yasushi
Données relatives à la priorité
2018-22704404.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 半導体層の形成方法
Abrégé
(EN)
Recesses (105, 106) that reach a first semiconductor layer (102) are respectively formed at places where threading dislocations (121, 122) reach a surface, and the first semiconductor layer (102) is oxidized through the respective recesses (105, 106) so as to form an insulating film (107) that covers the under surface of a second semiconductor layer (103).
(FR)
L’invention concerne des évidements (105, 106) atteignant une première couche semi-conductrice (102), qui sont respectivement formés à des endroits où des dislocations traversantes (121, 122) atteignent une surface, et la première couche semi-conductrice (102) étant oxydée par les évidements respectifs (105, 106) de manière à former un film isolant (107) qui recouvre la surface inférieure d'une seconde couche semi-conductrice (103).
(JA)
貫通転位(121),貫通転位(122)の表面に到達している箇所に、第1半導体層(102)に到達する窪み(105),窪み(106)を形成し、窪み(105),窪み(106)を通して第1半導体層(102)を酸化し、第2半導体層(103)の下面を覆う絶縁膜(107)を形成する。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international