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1. WO2020116147 - TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/116147
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/045211
Date du dépôt international 19.11.2019
CIB
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 29/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/338 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
338à grille Schottky
H01L 29/778 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
778avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/812 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
80l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse
812à grille Schottky
Déposants
  • 日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 杉山 弘樹 SUGIYAMA, Hiroki
Mandataires
  • 山川 茂樹 YAMAKAWA, Shigeki
  • 小池 勇三 KOIKE, Yuzo
  • 山川 政樹 YAMAKAWA, Masaki
  • 本山 泰 MOTOYAMA, Yasushi
Données relatives à la priorité
2018-22704304.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 電界効果トランジスタおよびその製造方法
Abrégé
(EN)
In the present invention, a buffer layer (102), an etch-stop layer (103), and a channel layer (104) are epitaxially grown, in this order, on a substrate (101). The substrate (101) is constituted, for example, by InP made to have high resistance by doping with Fe. The buffer layer (102) is constituted by a compound semiconductor lattice-matched to the InP. The etch-stop layer (103) is constituted by InxAl1-xP (0≤x≤0.75). The channel layer (104) is constituted by InyGa1-yAs(0(FR)
Dans la présente invention, une couche tampon (102), une couche d'arrêt de gravure (103) et une couche de canal (104) sont cultivées de manière épitaxiale, dans cet ordre, sur un substrat (101). Le substrat (101) est constitué, par exemple, de InP conçu pour avoir une résistance élevée par dopage avec Fe. La couche tampon (102) est constituée d'un réseau semi-conducteur composé apparié à l'InP. La couche d'arrêt de gravure (103) est constituée de InxAl1-xP (0 ≤ x ≤ 0,75). La couche de canal (104) est constituée de InyGa1-yAs (0 < y ≤ 1).
(JA)
基板(101)の上に、バッファ層(102)、エッチング停止層(103)、チャネル層(104)を、これらの順にエピタキシャル成長する。基板(101)は、例えば、Feをドープすることで高抵抗としたInPから構成する。バッファ層(102)は、InPに格子整合する化合物半導体から構成する。エッチング停止層(103)は、InxAl1-xP(0≦x≦0.75)から構成する。チャネル層(104)は、InyGa1-yAs(0<y≦1)から構成する。
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