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1. WO2020116116 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2020/116116
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/044625
Date du dépôt international 14.11.2019
CIB
H01L 23/36 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
Déposants
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 大塚 拓一 OTSUKA Takukazu
Mandataires
  • 吉田 稔 YOSHIDA Minoru
  • 鈴木 伸太郎 SUZUKI Shintaro
Données relatives à la priorité
2018-22640803.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abrégé
(EN)
A semiconductor (A10) is provided with: a conductive substrate (20); and a semiconductor element (40). The conductive substrate (20) has a main surface (20A) that is directed toward one side in the thickness direction (z), and a back surface (20B) that is directed toward a side opposite to the main surface (20A). The semiconductor element (40) is electrically joined to the main surface (20A). The conductive substrate (20) includes a first base layer (211), a second base layer (212), and a metal layer (22). Each of the first and second base layers (211), (212) is made of graphite in which layers of graphene are laminated. The metal layer (22) is interposed between the first and second base layers (211), (212). The layers of graphene in the first base layer (211) are laminated in a first laminating direction orthogonal to the thickness direction (z). The layers of graphene in the second base layer (212) are laminated in a second laminating direction orthogonal to the thickness direction (z) and crossing the first laminating direction.
(FR)
La présente invention concerne un semi-conducteur (A10) pourvu : d'un substrat conducteur (20) ; et d'un élément semi-conducteur (40). Le substrat conducteur (20) a une surface principale (20A) qui est dirigée vers un côté dans la sens de l'épaisseur (z), et une surface arrière (20B) qui est dirigée vers un côté en regard de la surface principale (20A). L'élément semi-conducteur (40) est relié électriquement à la surface principale (20A). Le substrat conducteur (20) comprend une première couche de base (211), une seconde couche de base (212) et une couche métallique (22). Chaque couche des première et seconde couches de base (211), (212) est constituée de graphite dans lequel des couches de graphène sont stratifiées. La couche métallique (22) est interposée entre les première et seconde couches de base (211), (212). Les couches de graphène dans la première couche de base (211) sont stratifiées dans une première direction de stratification orthogonale au sens de l'épaisseur (z). Les couches de graphène dans la seconde couche de base (212) sont stratifiées dans une seconde direction de stratification orthogonale au sens de l'épaisseur (z) et croisant la première direction de stratification.
(JA)
半導体装置(A10)は、導電基板(20)および半導体素子(40)を備える。導電基板(20)は、厚さ方向(z)の一方側を向く主面(20A)、および主面(20A)とは反対側を向く裏面(20B)を有する。半導体素子(40)は、主面(20A)に電気的に接合される。導電基板(20)は、第1基層(211)、第2基層(212)および金属層(22)を含む。第1基層(211)および第2基層(212)は、それぞれグラフェンが積層されたグラファイトからなる。金属層(22)は、第1基層(211)および第2基層(212)の間に介在する。第1基層(211)における前記グラフェンは、厚さ方向(z)に対して直角である第1積層方向に積層される。第2基層(212)における前記グラフェンは、厚さ方向(z)に対して直角であり、かつ前記第1積層方向に対して交差する第2積層方向に積層される。
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