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1. WO2020116040 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2020/116040
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/041079
Date du dépôt international 18.10.2019
CIB
H01L 21/3205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/522 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 27/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H04N 5/369 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 橋口 日出登 HASHIGUCHI Hideto
Mandataires
  • 田中 秀▲てつ▼ TANAKA Hidetetsu
  • 小林 龍 KOBAYASHI Toru
  • 森 哲也 MORI Tetsuya
Données relatives à la priorité
2018-22734904.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置及び電子機器
Abrégé
(EN)
The present invention provides: a semiconductor device which has improved bondability between a first electrode part and a second electrode part facing each other; and an electronic device. A semiconductor device according to the present invention is provided with: a first wiring part; a first interlayer insulating film which covers one surface of the first wiring part; a first electrode part which is provided within a first through hole that is formed in the first interlayer insulating film, and which is electrically connected to the first wiring part; a second wiring part; a second interlayer insulating film which covers a surface of the second wiring part, said surface facing the first wiring part; and a second electrode part which is provided within a second through hole that is formed in the second interlayer insulating film, and which is electrically connected to the second wiring part. The first electrode part and the second electrode part are directly bonded to each other. The thermal expansion coefficient of the first electrode part is higher than the thermal expansion coefficient of the first wiring part.
(FR)
La présente invention concerne : un dispositif à semi-conducteur qui a une capacité de liaison améliorée entre une première partie d'électrode et une seconde partie d'électrode se faisant face ; et un dispositif électronique. Un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention comprend : une première partie de câblage ; un premier film isolant intercouche qui recouvre une surface de la première partie de câblage ; une première partie d'électrode qui est disposée à l'intérieur d'un premier trou traversant qui est formé dans le premier film isolant intercouche, et qui est électriquement connectée à la première partie de câblage ; une seconde partie de câblage ; un second film isolant intercouche qui recouvre une surface de la seconde partie de câblage, ladite surface faisant face à la première partie de câblage ; et une seconde partie d'électrode qui est disposée à l'intérieur d'un second trou traversant qui est formé dans le second film isolant intercouche, et qui est électriquement connecté à la seconde partie de câblage La première partie d'électrode et la seconde partie d'électrode sont directement liées l'une à l'autre. Le coefficient de dilatation thermique de la première partie d'électrode est supérieur au coefficient de dilatation thermique de la première partie de câblage.
(JA)
互いに対向する第1電極部と第2電極部との接合性を向上できるようにした半導体装置及び電子機器を提供する。半導体装置は、第1配線部と、第1配線部の一方の面側を覆う第1層間絶縁膜と、第1層間絶縁膜に設けられる第1貫通孔内に設けられ、第1配線部と電気的に接続する第1電極部と、第2配線部と、第2配線部において第1配線部と対向する面側を覆う第2層間絶縁膜と、第2層間絶縁膜に設けられる第2貫通孔内に設けられ、第2配線部と電気的に接続する第2電極部と、を備える。第1電極部と第2電極部は互いに直接接合される。第1電極部の熱膨張率は、第1配線部の熱膨張率よりも大きい。
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