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1. WO2020115906 - DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/115906
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2018/045150
Date du dépôt international 07.12.2018
CIB
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
G09F 9/30 2006.01
GPHYSIQUE
09ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
FPRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H01L 27/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H01L 51/50 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33Sources lumineuses électroluminescentes
02Détails
H05B 33/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33Sources lumineuses électroluminescentes
10Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
CPC
G09F 9/30
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
9Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
30in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
H01L 27/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
H01L 51/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
H05B 33/02
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Electroluminescent light sources
02Details
H05B 33/10
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Electroluminescent light sources
10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
Déposants
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 斉藤 貴翁 SAITOH Takao
  • 三輪 昌彦 MIWA Masahiko
  • 神崎 庸輔 KANZAKI Yohsuke
  • 山中 雅貴 YAMANAKA Masaki
  • 孫 屹 SUN Yi
Mandataires
  • 特許業務法人前田特許事務所 MAEDA & PARTNERS
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 表示装置及びその製造方法
Abrégé
(EN)
Each pixel circuit comprises a TFT and a capacitor which includes a gate electrode (14a) that is provided island-shaped in the TFT, a first inorganic insulating film that is provided on the gate electrode (14a), and a capacitive electrode (16c) that is provided on the first inorganic insulating film so as to overlap the gate electrode (14a), wherein the angle between the upper face of a base substrate and at least one portion of a peripheral end face of the gate electrode (14a) along the peripheral direction in a portion that does not overlap a semiconductor layer (12a) is greater than the angle between the upper face of the base substrate and the peripheral end face of the gate electrode (14a) in a portion that overlaps the semiconductor layer (12a) in a plan view.
(FR)
Dans la présente invention, chaque circuit de pixel comprend un TFT et un condensateur qui comporte une électrode grille (14a) disposée en forme d'îlot dans le TFT, un premier film isolant inorganique disposé sur l'électrode grille (14a), et une électrode capacitive (16c) disposée sur le premier film isolant inorganique de façon à chevaucher l'électrode grille (14a), l'angle entre la face supérieure d'un substrat de base et au moins une partie d'une face d'extrémité périphérique de l'électrode grille (14a) dans la direction périphérique dans une partie qui ne chevauche pas une couche semi-conductrice (12a) étant supérieur à l'angle entre la face supérieure du substrat de base et la face d'extrémité périphérique de l'électrode grille (14a) dans une partie qui chevauche la couche semi-conductrice (12a) dans une vue en plan.
(JA)
各画素回路は、TFTと、TFTの島状に設けられたゲート電極(14a)、ゲート電極(14a)上に設けられた第1無機絶縁膜、及びその第1無機絶縁膜上にゲート電極(14a)に重なるように設けられた容量電極(16c)を含むキャパシタとを備え、半導体層(12a)に重ならない部分におけるゲート電極(14a)の周端面の周方向に沿う少なくとも一部とベース基板の上面とのなす角度は、半導体層(12a)に平面視で重なる部分におけるゲート電極(14a)の周端面とベース基板の上面とのなす角度よりも大きくなっている。
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