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1. WO2020115830 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF D'ANTENNE

Numéro de publication WO/2020/115830
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2018/044670
Date du dépôt international 05.12.2018
CIB
H01L 23/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
02Conteneurs; Scellements
H01L 23/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
02Conteneurs; Scellements
06caractérisés par le matériau du conteneur ou par ses propriétés électriques
08le matériau étant un isolant électrique, p.ex. du verre
H01L 23/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/29 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29caractérisées par le matériau
H01L 23/50 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
50pour des dispositifs à circuit intégré
CPC
H01L 23/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
02Containers; Seals
H01L 23/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
02Containers; Seals
06characterised by the material of the container or its electrical properties
08the material being an electrical insulator, e.g. glass
H01L 23/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
H01L 23/29
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
H01L 23/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
50for integrated circuit devices, ; e.g. power bus, number of leads
Déposants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 一戸 洋暁 ICHINOHE, Hiroaki
  • 松末 明洋 MATSUSUE, Akihiro
Mandataires
  • 村上 加奈子 MURAKAMI, Kanako
  • 松井 重明 MATSUI, Jumei
  • 倉谷 泰孝 KURATANI, Yasutaka
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ANTENNA DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF D'ANTENNE
(JA) 半導体装置及びアンテナ装置
Abrégé
(EN)
A semiconductor device 100 according to the present invention comprises: a first metal body 10 which has a semiconductor element 1 and a die pad portion 11 on which the semiconductor element 1 is mounted, and in which the semiconductor element 1 is mounted on a die bonding surface 12 of the die pad portion 11; a second metal body 20 which has a wire bond pad portion 32 connected to a signal electrode of the semiconductor element 1 by a wire 3, which is arranged under the first metal body 10 on the same side as the die bonding surface 12 while being separated from the first metal body 10, and which forms a transmission line together with the first metal body 10; and a mold resin 2 which holds the first metal body 10 and the second metal body 20 so that the surface of the first metal body 10 opposite to the die bonding surface 12 is exposed.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs (100), comprenant : un premier corps métallique (10) qui comporte un élément semi-conducteur (1) et une partie plaquette de puce (11) sur laquelle est monté l'élément semi-conducteur (1), et dans laquelle l'élément semi-conducteur (1) est monté sur une surface de fixation de puce (12) de la partie plaquette de puce (11) ; un second corps métallique (20) qui a une partie plaquette de connexion de fil (32) connectée à une électrode de signal de l'élément semi-conducteur (1) par un fil (3), lequel est disposé sous le premier corps métallique (10) sur le même côté que la surface de fixation de puce (12) tout en étant séparé du premier corps métallique (10), et forme une ligne de transmission conjointement avec le premier corps métallique (10) ; et une résine de moulage (2) qui maintient le premier corps métallique (10) et le second corps métallique (20) de sorte que la surface du premier corps métallique (10) en regard de la surface de fixation de puce (12) est apparente.
(JA)
本発明に係る半導体装置100は、半導体素子1と半導体素子1を搭載するダイパッド部11を有し、半導体素子1がダイパッド部11のダイボンド面12に搭載された第一の金属体10と、半導体素子1の信号電極にワイヤ3を介して接続されたワイヤボンドパッド部32を有し、ダイボンド面12と同じ側に、第一の金属体10と離間した状態で第一の金属体10に覆われて設けられ、第一の金属体10と共に伝送線路を形成する第二の金属体20と、ダイボンド面12と反対側の第一の金属体10の面が露出するように、第一の金属体10及び第二の金属体20を保持しているモールド樹脂2とを備える。
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