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1. WO2020115226 - PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2020/115226
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2019/083855
Date du dépôt international 05.12.2019
CIB
H01L 33/22 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
H01L 33/38 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
38ayant une forme particulière
H01L 33/44 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/46 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
46Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
CPC
H01L 2933/0091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0091Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
H01L 33/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
22Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
H01L 33/382
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
382the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
H01L 33/44
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
H01L 33/46
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • VARGHESE, Tansen
  • SCHMID, Wolfgang
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Données relatives à la priorité
10 2018 131 411.607.12.2018DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé
(DE)
In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Strahlungsseite (10), einer ersten Halbleiterschicht (11) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer aktiven Schicht (13), einer zweiten Halbleiterschicht (12) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und einer Rückseite (14), die in dieser Reihenfolge übereinander angeordnet sind. Die aktive Schicht erzeugt oder absorbiert im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung. Ferner umfasst der optoelektronische Halbleiterchip eine erste Kontaktstruktur (31) und eine zweite Kontaktstruktur (32) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge. Die zweite Kontaktstruktur ist auf der Rückseite angeordnet und steht in elektrischem Kontakt zur zweiten Halbleiterschicht. Die Strahlungsseite ist zum Einkoppeln oder Auskoppeln der Primärstrahlung in oder aus der Halbleiterschichtenfolge eingerichtet. Die Rückseite ist strukturiert und umfasst Streustrukturen (410), die zur Streuung und Umlenkung der Primärstrahlung eingerichtet sind.
(EN)
The invention relate to an optoelectronic semiconductor chip (100), which, in at least one embodiment, comprises a semiconductor layer sequence (1) having a radiation side (11) of a first conductivity type, an active layer (13), a second semi-conductor layer (12) of a second conductivity type, and a rear side (14), which are arranged one above the other in this sequence. During normal operation, the active layer generates or absorbs electromagnetic primary radiation. The optoelectronic semiconductor chip also comprises a first contact structure (31) and a second contact structure (32) for electrically contacting the semi-conductor layer sequence. The second contact structure is arranged on the rear side and is in electric contact with the second semi-conductor layer. The radiation side is designed to inject or output the primary radiation into or out from the semi-conductor layer sequence. The rear side is structured and comprises scattering structures (410) which are designed for scattering and deflecting the primary radiation.
(FR)
Selon au moins un mode de réalisation, la puce semi-conductrice optoélectronique (100) comprend une séquence de couches semi-conductrices (1) pourvue d’une face de rayonnement (10), d’une première couche semi-conductrice (11) ayant un premier type de conductivité, d’une couche active (13), d’une seconde couche semi-conductrice (12) ayant un second type de conductivité et d’une face arrière (14), qui sont disposées les unes au-dessus des autres dans cet ordre. La couche active produit ou absorbe un rayonnement électromagnétique primaire dans un fonctionnement conforme à l’usage prévu. La puce semi-conductrice optoélectronique comprend en outre une première structure de contact (31) et une seconde structure de contact (32) permettant un contact électrique de la séquence de couches semi-conductrices. La seconde structure de contact est disposée sur la face arrière et est en contact électrique avec la seconde couche semi-conductrice. La face de rayonnement est conçue pour coupler le rayonnement primaire dans la séquence de couches semi-conductrices ou le découpler de celle-ci. La face arrière est structurée et comporte des structures de diffusion (410) qui sont conçues pour diffuser et dévier le rayonnement primaire.
Également publié en tant que
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