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1. WO2020115148 - PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2020/115148
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2019/083702
Date du dépôt international 04.12.2019
CIB
H01L 33/62 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
CPC
H01L 2933/0016
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0016relating to electrodes
H01L 33/62
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • PORTEN, Pascal
  • KÄMPF, Mathias
  • ZENGER, Marcus
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Données relatives à la priorité
10 2018 131 386.107.12.2018DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
(EN) METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé
(DE)
In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) die folgenden Schritte: A) Bereitstellen eines Chipträgers (13), B) Erzeugen von Löchern (14) für elektrische Durchkontaktierungen im Chipträger (13), C) Erzeugen einer dünnen Metallisierung (21) in den Löchern (14), D) Verfüllen der metallisierten Löcher (14) mit einer Füllung (3) aus einem Kunststoff, und E) Anbringen von optoelektronischen HalbleiterChips (4) auf den metallisierten Löchern (14), sodass die HalbleiterChips (4) ohmsch leitend mit der zugehörigen Metallisierung (21) verbunden werden.
(EN)
In one embodiment the method for producing optoelectronic semiconductor components (1) comprises the following steps: A) providing a chip substrate (13); B) creating holes (14) for electrical vias in the chip substrate (13); C) producing a thin metallization (21) in the holes (14); D) filling the metallized holes (14) with a plastic filler (3); and E) attaching optoelectronic semiconductor chips (4) to the metallized holes (14) so that the semiconductor chips (4) are connected ohmically conductively to the associated metallization (21).
(FR)
Dans un mode de réalisation, le procédé de fabrication de composants semi-conducteurs optoélectroniques (1) comprend les étapes consistant à : A) fournir un support de puce (13), B) créer des trous (14) pour le contact électrique traversant dans le support de puce (13), C) créer une fine métallisation (21) dans les trous (14), D) remplir les trous métallisés (14) d'une charge (3) en plastique, et E) appliquer des puces semi-conductrices optoélectroniques (4) sur les trous métallisés (14) de telle manière que les puces semi-conductrices (4) sont reliées à la métallisation correspondante (21) de façon ohmiquement conductrice.
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