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1. WO2020115125 - CIBLE POUR MESURER UN PARAMÈTRE D'UN PROCESSUS LITHOGRAPHIQUE

Numéro de publication WO/2020/115125
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2019/083666
Date du dépôt international 04.12.2019
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
G01N 21/17 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
G01N 21/47 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
47Dispersion, c. à d. réflexion diffuse
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
CPC
G01N 21/17
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
G01N 21/4788
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
47Scattering, i.e. diffuse reflection
4788Diffraction
G03F 7/70633
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
70633Overlay
H01L 22/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
Déposants
  • ASML NETHERLANDS B.V. [NL]/[NL]
Inventeurs
  • VAN DER SCHAAR, Maurits
  • ZWIER, Olger, Victor
  • WARNAAR, Patrick
Mandataires
  • BROEKEN, Petrus Henricus Johannes
Données relatives à la priorité
62/775,29504.12.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) A TARGET FOR MEASURING A PARAMETER OF A LITHOGRAPHIC PROCESS
(FR) CIBLE POUR MESURER UN PARAMÈTRE D'UN PROCESSUS LITHOGRAPHIQUE
Abrégé
(EN)
A target for determining a performance parameter of a lithographic process, the target comprising a first sub-target formed by at least two overlapping gratings, wherein the underlying grating of the first sub-target has a first pitch and the top lying grating of the first sub-target has a second pitch, at least a second sub-target formed by at least two overlapping gratings, wherein the underlying grating of the second sub-target has a third pitch and the top lying grating of the second sub-target has a fourth pitch.
(FR)
La présente invention concerne une cible servant à déterminer un paramètre de performance d'un processus lithographique, la cible comprenant une première sous-cible formée par au moins deux réseaux se chevauchant, le réseau sous-jacent de la première sous-cible ayant un premier pas et le réseau de diffraction supérieur de la première sous-cible ayant un second pas, et au moins une seconde sous-cible formée par au moins deux réseaux de diffraction se chevauchant, le réseau sous-jacent de la seconde sous-cible ayant un troisième pas et le réseau de diffraction supérieur de la seconde sous-cible ayant un quatrième pas.
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