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1. WO2020114729 - PROCÉDÉ D'AJUSTEMENT D'UNE CARACTÉRISTIQUE CIBLE DANS UN MODÈLE D'UN PROCESSUS DE FORMATION DE MOTIFS SUR LA BASE DE CHAMPS ÉLECTRIQUES LOCAUX

Numéro de publication WO/2020/114729
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2019/080996
Date du dépôt international 12.11.2019
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
G03F 1/70 2012.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
68Procédés de préparation non couverts par les groupes G03F1/20-G03F1/50105
70Adaptation du tracé ou de la conception de base du masque aux exigences du procédé lithographique, p.ex. correction par deuxième itération d'un motif de masque pour l'imagerie
CPC
G03F 1/70
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
70Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
G03F 7/705
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70491Information management and control, including software
705Modelling and simulation from physical phenomena up to complete wafer process or whole workflow in wafer fabrication
G03F 7/70675
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
70675using latent image
Déposants
  • ASML NETHERLANDS B.V. [NL]/[NL]
Inventeurs
  • VAN HAREN, Richard, Johannes, Franciscus
  • VAN DIJK, Leon, Paul
  • YILDIRIM, Oktay
  • MOURAILLE, Orion, Jonathan, Pierre
Mandataires
  • PETERS, John
Données relatives à la priorité
18211056.907.12.2018EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR ADJUSTING A TARGET FEATURE IN A MODEL OF A PATTERNING PROCESS BASED ON LOCAL ELECTRIC FIELDS
(FR) PROCÉDÉ D'AJUSTEMENT D'UNE CARACTÉRISTIQUE CIBLE DANS UN MODÈLE D'UN PROCESSUS DE FORMATION DE MOTIFS SUR LA BASE DE CHAMPS ÉLECTRIQUES LOCAUX
Abrégé
(EN)
A method for adjusting a target feature in a model of a patterning process based on local electric fields estimated for the patterning process is described. The method comprises obtaining a mask stack region of interest. The mask stack region of interest has one or more characteristics associated with propagation of electromagnetic waves through the mask stack region of interest. The mask stack region of interest includes the target feature. The method comprises estimating a local electric field based on the one or more characteristics associated with the propagation of electromagnetic waves through the mask stack region of interest. The local electric field is estimated for a portion of the mask stack region of interest in proximity to the target feature. The method comprises adjusting the target feature based on the estimated local electric field.
(FR)
L'invention concerne un procédé d'ajustement d'une caractéristique cible dans un modèle d'un processus de formation de motifs sur la base de champs électriques locaux estimés pour le processus de formation de motifs. Le procédé comprend l'obtention d'une région d'intérêt d'empilement de masques. La région d'intérêt d'empilement de masques possède une ou plusieurs caractéristiques associées à la propagation d'ondes électromagnétiques à travers la région d'intérêt d'empilement de masques. La région d'intérêt d'empilement de masques comprend la caractéristique cible. Le procédé consiste en l'estimation d'un champ électrique local sur la base d'une ou de plusieurs caractéristiques associées à la propagation d'ondes électromagnétiques à travers la région d'intérêt d'empilement de masques. Le champ électrique local est estimé pour une partie de la région d'intérêt d'empilement de masques à proximité de la caractéristique cible. Le procédé consiste à ajuster la caractéristique cible sur la base du champ électrique local estimé.
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