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1. WO2020114485 - SUBSTRAT DE MATRICE, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE

Numéro de publication WO/2020/114485
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/123654
Date du dépôt international 06.12.2019
CIB
H01L 27/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 27/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
CPC
H01L 27/1214
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
H01L 27/1222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1222with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
Déposants
  • 京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 杨维 YANG, Wei
  • 袁广才 YUAN, Guangcai
  • 宁策 NING, Ce
  • 卢鑫泓 LU, Xinhong
  • 周天民 ZHOU, Tianmin
  • 杨昕 YANG, Xin
Mandataires
  • 北京律智知识产权代理有限公司 BEIJING INTELLEGAL INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LTD.
Données relatives à la priorité
201811497063.707.12.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) ARRAY SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
(ZH) 阵列基板及其制作方法、显示装置
Abrégé
(EN)
A manufacturing method for an array substrate, comprising: sequentially forming a first semiconductor pattern and a first insulation layer set on a base substrate; sequentially forming a second semiconductor pattern and a second insulation layer set on the first insulation layer set; forming two first via holes in the first insulation layer set and the second insulation layer set to expose the first semiconductor pattern, annealing the exposed first semiconductor pattern, and removing an oxide layer on the surface of the first semiconductor pattern; forming connection conducting wires in the first via holes; and forming a second via hole in the second insulation layer set to expose the second semiconductor pattern, and forming a first source and a first drain in the second via hole so that the first source or the first drain covers and connects to one of the connection conducting wires.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de matrice qui consiste à : former séquentiellement un premier motif de semiconducteur et un premier ensemble de couche d'isolation déposés sur un substrat de base ; former séquentiellement un second motif de semiconducteur et une second ensemble de couche d'isolation déposés sur le premier ensemble de couche d'isolation ; former deux premiers trous d'interconnexion dans le premier ensemble de couche d'isolation et le second ensemble de couche d'isolation pour exposer le premier motif de semiconducteur, recuire le premier motif de semiconducteur exposé, et retirer une couche d'oxyde sur la surface du premier motif de semiconducteur ; former des fils conducteurs de connexion dans les premiers trous d'interconnexion ; et former un second trou d'interconnexion dans le second ensemble de couche d'isolation pour exposer le second motif de semiconducteur, et former une première source et un premier drain dans le second trou d'interconnexion de sorte que la première source ou le premier drain recouvre et se connecte à l'un des fils conducteurs de connexion.
(ZH)
一种阵列基板的制作方法,该制作方法包括:在衬底基板之上依次形成第一半导体图案以及第一绝缘层组;在第一绝缘层组之上依次形成第二半导体图案以及第二绝缘层组;在第一绝缘层组以及第二绝缘层组形成两个第一过孔以露出第一半导体图案,并对露出的第一半导体图案进行退火且去除第一半导体图案表面的氧化层;在第一过孔内形成连接导线;在第二绝缘层组形成第二过孔以露出第二半导体图案,并在第二过孔内形成第一源极和第一漏极,使第一源极或第一漏极覆盖连接其中一个连接导线。
Également publié en tant que
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