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1. WO2020114463 - CORPS D'ENCAPSULATION ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION

Numéro de publication WO/2020/114463
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/123375
Date du dépôt international 05.12.2019
CIB
H01L 33/48 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 25/075 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
075les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L33/81
CPC
H01L 25/075
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
075the devices being of a type provided for in group H01L33/00
H01L 33/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
Déposants
  • 海迪科(南通)光电科技有限公司 DURA-CHIP (NANTONG) LIMITED [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 孙智江 SUN, Zhijiang
  • 王书昶 WANG, Shuchang
  • 吴陆 WU, Lu
Mandataires
  • 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) CHINA WISPRO INTELLECTUAL PROPERTY LLP.
Données relatives à la priorité
201811495570.707.12.2018CN
201910639825.016.07.2019CN
201910639866.X16.07.2019CN
201910640049.616.07.2019CN
201911139025.920.11.2019CN
201922104657.329.11.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) PACKAGING BODY AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) CORPS D'ENCAPSULATION ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种封装体及其制备方法
Abrégé
(EN)
A packaging body and a preparation method therefor. The packaging body comprises a support member (1); at least one first chip (2) and at least one second chip (3), the first chip (2) and the second chip (3) being located on a side surface of the support member (1), and at least the top surface in the surfaces of the second chip (3) being provided with a long-wavelength phosphor adhesive layer (4); and a packaging layer (5) covering the side of the support member (1) provided with the first chip (2) and the second chip (3). The first chip (2), the second chip (3), and the long-wavelength phosphor adhesive layer (4) are located in the packaging layer (5), and the packaging layer (5) is formed by a first wavelength phosphor adhesive layer that does not contain long-wavelength phosphor. The peak wavelength L1 of phosphor in the first wavelength phosphor adhesive layer is less than the peak wavelength Lred of the long-wavelength phosphor. By means of the method, the packaging body has a higher display index, and the luminous efficiency is ensured.
(FR)
L'invention concerne un corps d'encapsulation et son procédé de préparation. Le corps d'encapsulation comprend un élément de support (1) ; au moins une première puce (2) et au moins une seconde puce (3), la première puce (2) et la seconde puce (3) étant situées sur une surface latérale de l'élément de support (1), et au moins la surface supérieure dans les surfaces de la seconde puce (3) comportant une couche adhésive de phosphore à longue longueur d'onde (4) ; et une couche d'encapsulation (5) recouvrant le côté de l'élément de support (1) comprenant la première puce (2) et de la seconde puce (3). La première puce (2), la seconde puce (3) et la couche adhésive de phosphore à longue longueur d'onde (4) sont situées dans la couche d'encapsulation (5), et la couche d'encapsulation (5) est formée par une première couche adhésive de luminophore à longueur d'onde qui ne contient pas de luminophore à longueur d'onde longue. La longueur d'onde de crête L1 du phosphore dans la première couche adhésive de phosphore de longueur d'onde est inférieure à la longueur d'onde de pic Lred du phosphore de longueur d'onde longue. Au moyen du procédé, le corps d'encapsulation a un indice d'affichage supérieur, et l'efficacité lumineuse est assurée.
(ZH)
一种封装体和封装体的制备方法,所述封装体包括:支撑件(1);至少一颗第一芯片(2)和至少一颗第二芯片(3),所述第一芯片(2)和所述第二芯片(3)位于所述支撑件(1)的一侧表面上,且所述第二芯片(3)的表面中至少顶面设置有长波长荧光粉胶层(4);封装层(5),覆盖所述支撑件(1)设置有所述第一芯片(2)和所述第二芯片(3)一侧,所述第一芯片(1)、所述第二芯片(3)和所述长波长荧光粉胶层(4)位于所述封装层(5)内;且所述封装层(5)由不含长波长荧光粉的第一波长荧光粉胶层形成,所述第一波长荧光粉胶层内的荧光粉的峰值波长L1小于长波长荧光粉的峰值波长L红。通过上述方式,能够使得封装体具有更高的显示指数且保证发光效率。
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