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1. WO2020114367 - CAPTEUR DE PRESSION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT

Numéro de publication WO/2020/114367
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/122539
Date du dépôt international 03.12.2019
CIB
G01L 1/22 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
LMESURE DES FORCES, DES CONTRAINTES, DES COUPLES, DU TRAVAIL, DE LA PUISSANCE MÉCANIQUE, DU RENDEMENT MÉCANIQUE OU DE LA PRESSION DES FLUIDES
1Mesure des forces ou des contraintes, en général
20en mesurant les variations de la résistance ohmique des matériaux solides ou des fluides conducteurs de l'électricité; en faisant usage des cellules électrocinétiques, c. à d. des cellules contenant un liquide, dans lesquelles un potentiel électrique est produit ou modifié par l'application d'une contrainte
22en utilisant des jauges de contrainte à résistance
CPC
G01L 1/2293
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
1Measuring force or stress, in general
20by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids
22using resistance strain gauges
2287constructional details of the strain gauges
2293of the semi-conductor type
Déposants
  • 深圳先进技术研究院 SHENZHEN INSTITUTES OF ADVANCED TECHNOLOGY [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 李威威 LI, Weiwei
  • 陈明 CHEN, Ming
  • 李伟民 LI, Weimin
  • 程冠铭 CHENG, Guanming
  • 冯叶 FENG, Ye
  • 钟国华 ZHONG, Guohua
  • 李文杰 LI, Wenjie
  • 杨春雷 YANG, Chunlei
Mandataires
  • 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 MING & YUE INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM
Données relatives à la priorité
201811465344.403.12.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) PRESSURE SENSOR AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) CAPTEUR DE PRESSION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(ZH) 压力传感器及其制备方法
Abrégé
(EN)
A pressure sensor and a preparation method therefor, wherein the pressure sensor comprises a first electrode plate (10) and a second electrode plate (20) that are oppositely arranged. The first electrode plate (10) comprises a first substrate (11) and an interdigital electrode (12) disposed on on the first substrate (11), and each sub-electrode (12a) of the interdigital electrode (12) comprises a semiconductor layer (13) and a first composite metal layer (14) that are successively disposed on the first substrate (11). An surface of the semiconductor layer (13) forms a rough surface, and the first composite metal layer (14) is disposed on the rough surface. The second electrode plate (20) comprises a second substrate (21) a side surface of which is provided with a microstructure array (21a) and a second composite metal layer (22) overlying the microstructure array (21a), wherein the second composite metal layer (22) and the first composite metal layer (14) abut against each other and are connected to each other. The present pressure sensor has the characteristics of high sensitivity, a large measurement range and low energy consumption, and may meet the growing demand in the application field of the pressure sensors. In addition, the present pressure sensor has a simple structure and low preparation process difficulty, and is easy to produce on a large scale.
(FR)
L'invention concerne un capteur de pression et un procédé de préparation correspondant, le capteur de pression comprenant une première plaque d'électrode (10) et une seconde plaque d'électrode (20) agencées de façon opposée. La première plaque d'électrode (10) comprend un premier substrat (11) et une électrode interdigitée (12) disposée sur le premier substrat (11), et chaque sous-électrode (12a) de l'électrode interdigitée (12) comprend une couche semi-conductrice (13) et une première couche métallique composite (14) disposées successivement sur le premier substrat (11). Une surface de la couche semi-conductrice (13) forme une surface rugueuse, et la première couche métallique composite (14) est disposée sur la surface rugueuse. La seconde plaque d'électrode (20) comprend un second substrat (21) dont une surface latérale comprend un réseau de microstructures (21a) et une seconde couche métallique composite (22) recouvrant le réseau de microstructures (21a), la seconde couche métallique composite (22) et la première couche métallique composite (14) étant en butée l'une contre l'autre et étant reliées l'une à l'autre. Le capteur de pression de la présente invention présente les caractéristiques d'une sensibilité élevée, d'une grande plage de mesure et d'une faible consommation d'énergie, et peut satisfaire la demande croissante dans le champ d'application des capteurs de pression. De plus, le capteur de pression de la présente invention présente une structure simple et une faible difficulté de traitement de préparation, et est facile à produire à grande échelle.
(ZH)
一种压力传感器及其制备方法,其中压力传感器包括相对设置的第一电极板(10)和第二电极板(20),第一电极板(10)包括第一衬底(11)以及设置在第一衬底(11)上的叉指电极(12),叉指电极(12)的每一子电极(12a)包括依次设置于第一衬底(11)上的半导体层(13)和第一复合金属层(14),半导体层(13)的表面形成粗糙表面,第一复合金属层(14)设置在粗糙表面上;第二电极板(20)包括一侧表面具有微结构阵列(21a)的第二衬底(21)和覆设于微结构阵列(21a)上的第二复合金属层(22);其中,第二复合金属层(22)与第一复合金属层(14)相互抵触连接。该压力传感器具有高灵敏度、大的测量范围和能耗低的特性,能够满足在压力传感器的应用领域中日益增长的需求;另外,该压力传感器的结构简单、制备工艺难度低,易于大规模生产。
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