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1. WO2020113856 - PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE SUBSTRAT DE MATRICE, SUBSTRAT DE MATRICE, PANNEAU D’AFFICHAGE, ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE

Numéro de publication WO/2020/113856
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/079192
Date du dépôt international 22.03.2019
CIB
H01L 27/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H01L 27/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 21/77 2017.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
Déposants
  • 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 向明 XIANG, Ming
Mandataires
  • 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) ESSEN PATENT & TRADEMARK AGENCY
Données relatives à la priorité
201811477023.605.12.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) PREPARATION METHOD FOR ARRAY SUBSTRATE, ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY PANEL, AND DISPLAY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE SUBSTRAT DE MATRICE, SUBSTRAT DE MATRICE, PANNEAU D’AFFICHAGE, ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
(ZH) 阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置
Abrégé
(EN)
An embodiment of the present invention discloses a preparation method for an array substrate, the array substrate, a display panel, and a display device. In the embodiment of the present invention, a gate electrode insulating layer above a channel region is doped with fluorine atoms, and since a fluorine-containing inorganic layer can absorb hydrogen atoms, hydrogen atoms can be prevented from diffusing downwards into a metal oxide semiconductor so as to prevent same from affecting the electrical properties of a thin film transistor. In addition, only one kind of metal is needed to serve as a metal gate electrode layer, thereby simplifying the technological process and reducing the production cost.
(FR)
Un mode de réalisation de la présente invention concerne un procédé de préparation d’un substrat de matrice, le substrat de matrice, un panneau d’affichage, et un dispositif d’affichage. Selon le mode de réalisation de la présente invention, une couche isolante d’électrode de grille au-dessus d’une zone de canal est dopée avec des atomes de fluor, et puisqu’une couche inorganique contenant du fluor peut absorber des atomes d’hydrogène, des atomes d’hydrogène peuvent être empêchés de se diffuser vers le bas dans un semi-conducteur d’oxyde de métal afin de l’empêcher d’affecter les propriétés électriques d’un transistor à couche mince. Par ailleurs, un seul type de métal est nécessaire pour servir de couche d’électrode de grille en métal, simplifiant ainsi le processus technologique et réduisant le coût de production.
(ZH)
本发明实施例公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置。本发明实施例中将沟道区上方的栅极绝缘层掺杂氟原子,由于含氟的无机层能够吸收氢原子,因此能够阻挡氢原子向下扩散进入金属氧化物半导体,避免影响薄膜晶体管的电性,同时仅需使用一种金属作为金属栅极层,简化了工艺流程,降低了生产成本
Également publié en tant que
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