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1. WO2020113790 - CIRCUIT ET PROCÉDÉ DE COMPENSATION DE PIXEL

Numéro de publication WO/2020/113790
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/072213
Date du dépôt international 17.01.2019
CIB
G09G 3/3225 2016.01
GPHYSIQUE
09ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
GDISPOSITIONS OU CIRCUITS POUR LA COMMANDE DE L'AFFICHAGE UTILISANT DES MOYENS STATIQUES POUR PRÉSENTER UNE INFORMATION VARIABLE
3Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
20pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
22utilisant des sources lumineuses commandées
30utilisant des panneaux électroluminescents
32semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes
3208organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques
3225utilisant une matrice active
CPC
G09G 3/3225
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
3Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
20for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix ; no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
22using controlled light sources
30using electroluminescent panels
32semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
3208organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
3225using an active matrix
Déposants
  • 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO. , LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 李骏 LI, Jun
Mandataires
  • 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) ESSEN PATENT&TRADEMARK AGENCY
Données relatives à la priorité
201811489457.806.12.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) PIXEL COMPENSATION CIRCUIT AND PIXEL COMPENSATION METHOD
(FR) CIRCUIT ET PROCÉDÉ DE COMPENSATION DE PIXEL
(ZH) 像素补偿电路及像素补偿方法
Abrégé
(EN)
A pixel compensation circuit (40), comprising an organic light emitting diode (OLED), a first transistor (T41), a compensation transistor (T40), a storage capacitor (Cst3) and a second transistor (T42). A cathode of the organic light emitting diode (OLED) is connected to a first reference level (VSS). A source electrode of the first transistor (T41) is connected to a high level (VDD) and a data signal (DATA). A source electrode and gate electrode of the compensation transistor (T40) are connected to a second reference level (Vref), and a drain electrode of the compensation transistor (T40) is connected to a drain electrode of the first transistor (T41), so that the electric potential of the drain electrode of the first transistor (T41) is equal to or less than the sum of the second reference level (Vref) and the threshold voltage of the compensation transistor (T40). The storage capacitor (Cst3) is arranged between the high level (VDD) and a grid electrode of the first transistor (T41). Using the pixel compensation circuit (40) may avoid the phenomenon of a driving transistor aging and improve the uniformity of the driving transistor.
(FR)
L'invention concerne un circuit de compensation de pixel (40), comprenant une diode électroluminescente organique (OLED), un premier transistor (T41), un transistor de compensation (T40), un condensateur de mémoire (Cst3) et un second transistor (T42). Une cathode de la diode électroluminescente organique (OLED) est connectée à un premier niveau de référence (VSS). Une électrode de source du premier transistor (T41) est connectée à un niveau haut (VDD) et à un signal de données (DATA). Une électrode de source et une électrode de grille du transistor de compensation (T40) sont connectées à un second niveau de référence (Vref), et une électrode de drain du transistor de compensation (T40) est connectée à une électrode de drain du premier transistor (T41), de sorte que le potentiel électrique de l'électrode de drain du premier transistor (T41) est inférieur ou égal à la somme du second niveau de référence (Vref) et de la tension de seuil du transistor de compensation (T40). Le condensateur de stockage (Cst3) est disposé entre le niveau haut (VDD) et une électrode de grille du premier transistor (T41). L'utilisation du circuit de compensation de pixel (40) peut éviter le phénomène de vieillissement du transistor d'attaque et améliorer l'uniformité du transistor d'attaque.
(ZH)
一种像素补偿电路(40)包含有机发光二极管(OLED)、第一晶体管(T41)、补偿晶体管(T40)、存储电容(Cst3)以及第二晶体管(T42)。所述有机发光二极管(OLED)的阴极连接至第一参考电平(VSS)。所述第一晶体管(T41)的源极连接至高电平(VDD)以及数据信号(DATA)。所述补偿晶体管(T40)的源极与栅极连接至第二参考电平(Vref),所述补偿晶体管(T40)的漏极连接至所述第一晶体管(T41)的漏极,使所述第一晶体管(T41)漏极的电位等于或小于所述第二参考电平(Vref)与所述补偿晶体管(T40)阈值电压的总和。所述存储电容(Cst3)设置于所述高电平(VDD)与所述第一晶体管(T41)的栅极之间。利用该像素补偿电路(40)可以改善驱动晶体管老化的现象,提升驱动晶体管的均匀度。
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