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1. WO2020113763 - PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE TRANSISTOR À COUCHE MINCE

Numéro de publication WO/2020/113763
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/070897
Date du dépôt international 08.01.2019
CIB
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
CPC
H01L 29/66772
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66742Thin film unipolar transistors
66772Monocristalline silicon transistors on insulating substrates, e.g. quartz substrates
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
Déposants
  • 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 吕明仁 LU, Mingjen
Mandataires
  • 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) ESSEN PATENT & TRADEMARK AGENCY
Données relatives à la priorité
201811466103.103.12.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) PREPARATION METHOD FOR THIN FILM TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE TRANSISTOR À COUCHE MINCE
(ZH) 一种薄膜晶体管的制备方法
Abrégé
(EN)
A preparation method for a thin film transistor, wherein sufficient hydrogen ions are available in an interlayer dielectric layer (307), and in the annealing process, the number of hydrogen ions diffused to active layers (302, 303) is sufficient, the hydrogen ions enter channels (3021, 3031) of the thin film transistor to fill unbonded or unsaturated bonds of polysilicon atoms, and to fill the defects in the channels (3021, 3031), so that the defects of the active layers (302, 303) can be repaired, the number of instability is reduced, and the mobility and the threshold voltage uniformity are improved.
(FR)
L’invention concerne un procédé de préparation d’un transistor à couche mince, suffisamment d’ions hydrogène étant disponibles dans une couche diélectrique intercouche (307), et durant le processus de recuit, le nombre d’ions hydrogène diffusés vers des couches actives (302, 303) étant suffisant, les ions hydrogène entrant dans des canaux (3021, 3031) du transistor à couche mince pour remplir des liaisons non liées ou insaturées d’atomes de polysilicium, et pour remplir les défauts dans les canaux (3021, 3031), de sorte que les défauts des couches actives (302, 303) puissent être réparés, le nombre d’instabilités étant réduit, et la mobilité et l’uniformité de tension de seuil étant améliorées.
(ZH)
一种薄膜晶体管的制备方法,层间介电层(307)内有充足的氢离子,在退火处理中,扩散至有源层(302、303)的氢离子数量足够多,氢离子进入薄膜晶体管的沟道(3021、3031)中填补多晶硅原子未结合键或未饱和键,填补沟道(3021、3031)中的缺陷,进而能够修补有源层(302、303)的缺陷,减少不稳态数目,提升迁移率及阈值电压均匀性。
Également publié en tant que
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