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1. WO2020112866 - STRUCTURE DE BRANCHE DE COMMUTATEUR

Numéro de publication WO/2020/112866
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/063392
Date du dépôt international 26.11.2019
CIB
H01L 23/522 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 27/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H03K 17/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
10Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
H03K 17/693 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687les dispositifs étant des transistors à effet de champ
693Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d'entrée et de sortie, p.ex. multiplexeurs, distributeurs
H04B 1/44 2006.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
BTRANSMISSION
1Détails des systèmes de transmission, non couverts par l'un des groupes H04B3/-H04B13/124; Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission
38Émetteurs-récepteurs, c. à d. dispositifs dans lesquels l'émetteur et le récepteur forment un ensemble structural et dans lesquels au moins une partie est utilisée pour des fonctions d'émission et de réception
40Circuits
44Commutation transmission-réception
CPC
H01L 21/84
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
84the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body
H01L 23/5223
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
5222Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
5223Capacitor integral with wiring layers
H01L 23/5283
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
528Geometry or; layout of the interconnection structure
5283Cross-sectional geometry
H01L 27/0207
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
0203Particular design considerations for integrated circuits
0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
H01L 27/1203
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1203the substrate comprising an insulating body on a semiconductor body, e.g. SOI
H01L 27/1255
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1255integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
Déposants
  • QORVO US, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • GIBSON, Samuel
Mandataires
  • WITHROW, Benjamin, S.
Données relatives à la priorité
16/200,96527.11.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SWITCH BRANCH STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE BRANCHE DE COMMUTATEUR
Abrégé
(EN)
A switch branch structure has an input terminal, an output terminal, and a series stack of an N-number of transistors formed in an active device layer within a first plane, wherein a first one of the N-number of transistors is coupled to the input terminal, and an nth one of the N-number of transistors is coupled to the output terminal, where n is a positive integer greater than one. A metal layer element has a planar body with a proximal end that is electrically coupled to the input terminal and distal end that is electrically open, wherein the planar body is within a second plane spaced from and in parallel with the first plane such that the planar body capacitively couples a radio frequency signal at the input terminal to between 10% and 90% of the N-number of transistors when the switch branch structure is in an off-state.
(FR)
La présente invention concerne une structure de branche de commutateur comprenant une borne d'entrée, une borne de sortie et une pile en série d'un nombre N de transistors formée dans une couche de dispositif active à l'intérieur d'un premier plan, un premier transistor parmi le nombre N de transistors étant accouplé à la borne d'entrée, et un nième transistor parmi le nombre N de transistors étant accouplé à la borne de sortie, n étant un nombre entier positif supérieur à un. Un élément de couche métallique présente un corps plat avec une extrémité proximale qui est électriquement couplée à la borne d'entrée et une extrémité distale qui est électriquement ouverte, le corps plat étant à l'intérieur d'un second plan espacé du premier plan et parallèle à celui-ci de telle sorte que le corps plat couple de manière capacitive un signal de radiofréquence au niveau de la borne d'entrée à 10 % à 90 % du nombre N de transistors lorsque la structure de branche de commutateur est dans un état bloqué.
Également publié en tant que
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