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1. WO2020112570 - STRUCTURES PLAQUÉES PAR ÉLECTRODÉPOSITION À RAPPORT DE FORME ÉLEVÉ ET PROCÉDÉS D'ÉLECTRODÉPOSITION ANISOTROPE

Numéro de publication WO/2020/112570
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/062885
Date du dépôt international 23.11.2019
CIB
C25D 5/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
DPROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
5Dépôt électrochimique caractérisé par le procédé; Prétraitement ou post-traitement des pièces
02Dépôt sur des surfaces déterminées
C25D 7/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
DPROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
7Dépôt électrochimique caractérisé par l'objet à revêtir
CPC
C25D 1/003
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
1Electroforming
0033D structures, e.g. superposed patterned layers
C25D 3/38
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
3Electroplating: Baths therefor
02from solutions
38of copper
C25D 5/022
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
5Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
02Electroplating of selected surface areas
022using masking means
C25D 5/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
5Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
10Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
12at least one layer being of nickel or chromium
C25D 7/123
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
7Electroplating characterised by the article coated
12Semiconductors
123coated first with a seed layer, e.g. for filling vias
H05K 3/42
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
3Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
42Plated through-holes ; or plated via connections
Déposants
  • HUTCHINSON TECHNOLOGY INCORATED [US]/[US]
Inventeurs
  • RIEMER, Douglas P.
  • SWANSON, Kurt C.
  • LADWIG, Peter F.
  • LANG, Matthew S.
  • PESAVENTO, Paul V.
  • STARKEY, Joseph D.
Mandataires
  • MOONEY, Christopher M.
Données relatives à la priorité
16/693,16922.11.2019US
62/771,44226.11.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) HIGH-ASPECT RATIO ELECTROPLATED STRUCTURES AND ANISOTROPIC ELECTROPLATING PROCESSES
(FR) STRUCTURES PLAQUÉES PAR ÉLECTRODÉPOSITION À RAPPORT DE FORME ÉLEVÉ ET PROCÉDÉS D'ÉLECTRODÉPOSITION ANISOTROPE
Abrégé
(EN)
A device includes a dielectric layer having a first surface and a second surface. The device also includes a first set of high-aspect ratio electroplated structures disposed on the first surface of the dielectric layer and a second set of high-aspect ratio electroplated structures disposed on the second surface of the dielectric layer opposite the first set of high-aspect ratio electroplated structures.
(FR)
L'invention concerne un dispositif, qui comprend une couche diélectrique ayant une première surface et une seconde surface. Le dispositif comprend également un premier ensemble de structures plaquées par électrodéposition à rapport de forme élevé disposées sur la première surface de la couche diélectrique et un second ensemble de structures plaquées par électrodéposition à rapport de forme élevé disposées sur la seconde surface de la couche diélectrique à l'opposé du premier ensemble de structures plaquées par électrodéposition à rapport de forme élevé.
Également publié en tant que
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