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1. WO2020112511 - COMMUTATEUR SUPRACONDUCTEUR AYANT UN ÉTAT PERSISTANT ET NON PERSISTANT

Numéro de publication WO/2020/112511
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/062713
Date du dépôt international 22.11.2019
CIB
H01L 39/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
39Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02Détails
10caractérisés par les moyens de commutation
B82Y 10/00 2011.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82NANOTECHNOLOGIE
YUTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
10Nanotechnologie pour le traitement, le stockage ou la transmission d’informations, p.ex. calcul quantique ou logique à un électron
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
G11C 11/161
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
161details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
G11C 11/1657
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1653Address circuits or decoders
1657Word-line or row circuits
G11C 11/44
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
44using superconductive elements, e.g. cryotron
H01F 10/3286
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
324Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
3286Spin-exchange coupled multilayers having at least one layer with perpendicular magnetic anisotropy
H01L 27/222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
222Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM
Déposants
  • MICROSOFT TECHNOLOGY LICENSING, LLC [US]/[US]
Inventeurs
  • DAYTON, Ian M.
  • GINGRICH, Eric C.
Mandataires
  • MINHAS, Sandip S.
  • CHEN, Wei-Chen Nicholas
  • HINOJOSA-SMITH, Brianna L.
  • SWAIN, Cassandra T.
  • WONG, Thomas S.
  • CHOI, Daniel
  • HWANG, William C.
  • WIGHT, Stephen A.
  • CHATTERJEE, Aaron C.
  • JARDINE, John S.
  • GOLDSMITH, Micah P.
  • TRAN, Kimberly
  • ADJEMIAN, Monica
  • BARKER, Doug
  • CHURNA, Timothy
  • DINH, Phong
  • EVANS, Patrick
  • GABRYJELSKI, Henry
  • GUPTA, Anand
  • LEE, Sunah
  • LEMMON, Marcus
  • MARQUIS, Thomas
  • MEYERS, Jessica
  • ROPER, Brandon
  • SPELLMAN, Steven
  • SULLIVAN, Kevin
  • TABOR, Ben
  • WALKER, Matt
  • WISDOM, Gregg
  • WONG, Ellen
  • ZHANG, Hannah
Données relatives à la priorité
16/205,36330.11.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SUPERCONDUCTING SWITCH HAVING A PERSISTENT AND A NON-PERSISTENT STATE
(FR) COMMUTATEUR SUPRACONDUCTEUR AYANT UN ÉTAT PERSISTANT ET NON PERSISTANT
Abrégé
(EN)
Superconducting switch having a persistent and a non-persistent state and its use as a driver in a memory system are described. An example superconducting switch includes a first superconducting layer and a second superconducting layer. The superconducting switch includes a first magnetic layer having a fixed magnetization state. The superconducting switch includes a second magnetic layer capable of being at least in a first or a second magnetization state. The superconducting switch is capable of being in a first state or a second state, and the superconducting switch is configured such that an application of a magnetic field to the second magnetic layer changes a magnetization of the second magnetic layer from the first magnetization state to the second magnetization state placing the superconducting switch in the second state and a removal of the magnetic field automatically returns the superconducting switch from the second state to the first state.
(FR)
La présente invention concerne un commutateur supraconducteur ayant un état persistant et non persistant et son utilisation comme pilote dans un système de mémoire. Un commutateur supraconducteur donné à titre d'exemple comprend une première couche supraconductrice et une seconde couche supraconductrice. Le commutateur supraconducteur comprend une première couche magnétique ayant un état de magnétisation fixe. Le commutateur supraconducteur comprend une seconde couche magnétique pouvant être au moins dans un premier ou un second état de magnétisation. Le commutateur supraconducteur peut être dans un premier état ou dans un second état, et le commutateur supraconducteur est conçu de telle sorte que l'application d'un champ magnétique à la seconde couche magnétique fait passer la magnétisation de la seconde couche magnétique du premier état de magnétisation au second état de magnétisation plaçant le commutateur supraconducteur dans le second état, et que la suppression du champ magnétique renvoie automatiquement le commutateur supraconducteur du second état au premier état.
Également publié en tant que
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