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1. WO2020112446 - MATRICES DE MÉMOIRE

Numéro de publication WO/2020/112446
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/062262
Date du dépôt international 19.11.2019
CIB
H01L 27/11514 2017.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
11502avec condensateurs ferro-électriques de mémoire
11514caractérisées par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
H01L 27/11504 2017.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
11502avec condensateurs ferro-électriques de mémoire
11504caractérisées par la configuration vue du dessus
H01L 27/11512 2017.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
11502avec condensateurs ferro-électriques de mémoire
11512caractérisées par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique
H01L 27/11509 2017.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
11502avec condensateurs ferro-électriques de mémoire
11509caractérisées par la région de circuit périphérique
CPC
G06F 3/0688
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
3Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
06Digital input from or digital output to record carriers, ; e.g. RAID, emulated record carriers, networked record carriers
0601Dedicated interfaces to storage systems
0668adopting a particular infrastructure
0671In-line storage system
0683Plurality of storage devices
0688Non-volatile semiconductor memory arrays
H01L 27/11514
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11502with ferroelectric memory capacitors
11514characterised by the three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
H01L 27/11582
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11563with charge-trapping gate insulators, e.g. MNOS or NROM
11578characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
1158with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
11582the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
H01L 27/11585
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11585with the gate electrodes comprising a layer used for its ferroelectric memory properties, e.g. metal-ferroelectric-semiconductor [MFS] or metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor [MFMIS]
Déposants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • TANG, Sanh, D.
  • HILL, Richard, J.
  • LEE, Yi, Fang
  • ROBERTS, Martin, C.
Mandataires
  • MATKIN, Mark, S.
  • HENDRICKSEN, Mark, W.
  • LATWESEN, David, G.
  • GRZELAK, Keith, D.
  • SHAURETTE, James, D.
Données relatives à la priorité
16/204,22429.11.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MEMORY ARRAYS
(FR) MATRICES DE MÉMOIRE
Abrégé
(EN)
A memory array comprises vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells. The memory cells individually comprise a transistor comprising first and second source/drain regions having a channel region there-between and a gate operatively proximate the channel region. The individual memory cells comprise a capacitor comprising first and second electrodes having a capacitor insulator there-between. The first electrode electrically couples to the first source/drain region. Wordline structures extend elevationally through the insulative material and the memory cells of the vertically-alternating tiers. Individual of the gates that are in different of the memory cell tiers directly electrically couple to individual of the wordline structures. Sense-lines electrically couple to multiple of the second source/drain regions of individual of the transistors. Other embodiments are disclosed.
(FR)
L'invention concerne une matrice de mémoire qui comprend des étages alternés verticalement de matériau isolant et des cellules de mémoire. Les cellules de mémoire comprennent individuellement un transistor comprenant des première et seconde régions de source/drain ayant une région de canal entre celles-ci et une grille fonctionnellement proche de la région de canal. Les cellules de mémoire comprennent individuellement un condensateur comprenant des première et seconde électrodes ayant un isolant de condensateur entre celles-ci. La première électrode couple électriquement la première région de source/drain. Des structures de ligne de mots s'étendent en hauteur à travers le matériau isolant et les cellules de mémoire des étages verticalement alternés. Des grilles individuelles parmi les grilles qui sont dans différents étages de cellules de mémoire sont directement couplées électriquement à des structures individuelles parmi les structures de ligne de mots. Des lignes de détection sont électriquement couplées à de multiples secondes régions de source/drain de transistor individuel parmi les transistors. L'invention concerne également d'autres modes de réalisation.
Également publié en tant que
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