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1. WO2020111422 - SUBSTRAT EN SEMICONDUCTEUR TRANSPARENT INCOLORE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/111422
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2019/007221
Date du dépôt international 14.06.2019
CIB
H01L 31/036 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
036caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins
H01L 31/047 2014.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
042Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
047Matrices de cellules PV incluant des cellules PV comportant plusieurs jonctions verticales ou plusieurs jonctions en forme de tranchées en V formées dans un substrat semi-conducteur
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 21/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H01L 31/036
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
036characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
H01L 31/047
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
042PV modules or arrays of single PV cells
047PV cell arrays including PV cells having multiple vertical junctions or multiple V-groove junctions formed in a semiconductor substrate
Déposants
  • 울산과학기술원 UNIST(ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY) [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 서관용 SEO, Kwan Yong
  • 이강민 LEE, Kang Min
Mandataires
  • 리앤목 특허법인 Y.P.LEE, MOCK & PARTNERS
Données relatives à la priorité
10-2018-015084729.11.2018KR
10-2019-004982929.04.2019KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) COLORLESS TRANSPARENT SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SUBSTRAT EN SEMICONDUCTEUR TRANSPARENT INCOLORE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 무색 투명 반도체 기판 및 이의 제조방법
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a transparent semiconductor substrate and a method for manufacturing same, the transparent semiconductor substrate comprising: a semiconductor substrate including a first surface and a second surface opposite to the first surface; and a through hole penetrating the semiconductor substrate, wherein the through hole includes an inclined portion inclined with respect to the first surface and second surface, and the present invention provides a colorless transparent semiconductor which transmits all light in a visible light region so as to have colorless transparency and an improved viewing angle.
(FR)
La présente invention concerne un substrat en semiconducteur transparent et son procédé de fabrication, le substrat en semiconducteur transparent comprenant : un substrat en semiconducteur qui comporte une première surface et une deuxième surface opposée à la première surface ; et un trou traversant qui pénètre dans le substrat en semiconducteur. Le trou traversant comprend une portion inclinée par rapport à la première surface et à la deuxième surface, et la présente invention réalise un semiconducteur transparent incolore qui transmet toute la lumière dans une région de lumière visible de façon à avoir une transparence incolore et un angle de vue amélioré.
(KO)
본 발명은 제1면 및 상기 제1면의 반대측의 제2면을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판을 관통하는 관통홀을 포함하고, 상기 관통홀은 상기 제1면 및 제2면에 대하여 경사진 경사부를 포함하는 투명 반도체 기판 및 이의 제조방법으로, 가시광 영역의 모든 광을 투과하여 무색 투명성을 보이고 시야각이 향상된 무색 투명 반도체를 제공한다.
Également publié en tant que
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