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1. WO2020111391 - DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ

Numéro de publication WO/2020/111391
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2019/002071
Date du dépôt international 20.02.2019
CIB
H01L 27/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 27/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/38 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
38ayant une forme particulière
H01L 33/62 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
CPC
H01L 27/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
H01L 27/15
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
H01L 33/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
H01L 33/38
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
H01L 33/62
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Déposants
  • 삼성디스플레이 주식회사 SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 강종혁 KANG, Jong Hyuk
  • 조현민 CHO, Hyun Min
  • 김대현 KIM, Dae Hyun
  • 임현덕 IM, Hyun Deok
Mandataires
  • 김두식 KIM, Doo Sik
  • 오종한 OH, Jong Han
  • 문용호 MOON, Yong Ho
Données relatives à la priorité
10-2018-014863227.11.2018KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(KO) 표시 장치 및 그의 제조 방법
Abrégé
(EN)
A display device may comprise: a substrate including a display area and a non-display area; and a plurality of pixels provided in the display area and including a plurality of sub-pixels, each of which has a light-emitting area and a non-light-emitting area. Each of the sub-pixels may comprise: a pixel circuit unit including at least one transistor; and a display element layer including at least one light-emitting element which emits light and is connected to the transistor. The display element layer may comprise: a first electrode and a second electrode spaced apart from each other, the light-emitting element being disposed between the first and second electrodes; the light-emitting element connected to each of the first electrode and the second electrode; and a planarization layer disposed on the pixel circuit unit and in contact with at least a part of each of opposite ends of the light-emitting element. In a plan view, the planarization layer may overlap each of the first electrode and the second electrode.
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'affichage pouvant comprendre : un substrat comprenant une zone d'affichage et une zone de non-affichage ; et une pluralité de pixels disposés dans la zone d'affichage et comprenant une pluralité de sous-pixels, chacun comportant une région d'émission et une région de non-émission. Chacun des sous-pixels peut comprendre : une unité circuit de pixel comprenant au moins un transistor ; et une couche d'élément d'affichage comprenant au moins un élément électroluminescent qui émet de la lumière et qui est connecté au transistor. La couche d'élément d'affichage peut comprendre : une première électrode et une seconde électrode espacées l'une de l'autre, l'élément électroluminescent étant disposé entre les première et seconde électrodes ; l'élément électroluminescent étant connecté à chacune de la première électrode et de la seconde électrode ; et une couche de planarisation disposée sur l'unité circuit de pixel et en contact avec au moins une partie de chacune des extrémités opposées de l'élément électroluminescent. Lorsqu'observée selon une vue en plan, la couche de planarisation peut chevaucher chacune de la première électrode et de la seconde électrode.
(KO)
표시 장치는, 표시 영역 및 비표시 영역을 포함한 기판; 상기 표시 영역에 제공되며, 발광 영역과 비발광 영역을 각각 갖는 복수의 서브 화소들을 구비한 복수의 화소들을 포함할 수 있다. 각 서브 화소는, 적어도 하나의 트랜지스터를 포함한 화소 회로부 및 광을 방출하는 상기 트랜지스터에 연결된 적어도 하나의 발광 소자를 구비한 표시 소자층을 포함할 수 있다. 상기 표시 소자층은, 상기 발광 소자를 사이에 두고 이격된 제1 전극과 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 각각에 연결된 상기 발광 소자; 및 상기 화소 회로부 상에 제공되며, 상기 발광 소자의 양 단부 각각의 적어도 일부를 접촉하는 평탄화층을 포함할 수 있다. 평면 상에서 볼 때, 상기 평탄화층은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 각각 중첩할 수 있다.
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