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1. WO2020111100 - DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2020/111100
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/046309
Date du dépôt international 27.11.2019
CIB
H03M 1/56 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
MCODAGE, DÉCODAGE OU CONVERSION DE CODE, EN GÉNÉRAL
1Conversion analogique/numérique; Conversion numérique/analogique
12Convertisseurs analogiques/numériques
50avec conversion intermédiaire en intervalle de temps
56Comparaison du signal d'entrée avec une rampe linéaire
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H04N 5/3745 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
3745ayant des composants supplémentaires incorporés au sein d'un pixel ou connectés à un groupe de pixels au sein d'une matrice de capteurs, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H03M 1/56
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
1Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
12Analogue/digital converters
50with intermediate conversion to time interval
56Input signal compared with linear ramp
H04N 5/3745
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 片山 泰志 KATAYAMA Hiroshi
Mandataires
  • 渡邊 薫 WATANABE Kaoru
Données relatives à la priorité
2018-22504330.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置及び電子機器
Abrégé
(EN)
Provided are a solid-state imaging device and an electronic device that can achieve a reduction in power consumption. Provided is a solid-state imaging device comprising: a pixel array unit that has a unit pixel; a vertical signal line that is connected to the unit pixel; a first transistor having a source or a drain which is connected to each of a point of a first potential and the vertical signal line; a second transistor having a source or a drain which is connected to each of a point of a second potential and the vertical signal line; a D/A converter; and a comparator that is connected to the vertical signal line and the D/A converter, wherein the first potential is supplied to the vertical signal line by the first transistor, and the first potential is higher than the second potential.
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs et un dispositif électronique qui peuvent réaliser une réduction de la consommation d'énergie. L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs comprenant : une unité de réseau de pixels qui a un pixel unitaire ; une ligne de signal verticale qui est connectée au pixel unitaire ; un premier transistor ayant une source ou un drain qui est connecté à chacun d'un point d'un premier potentiel et de la ligne de signal verticale ; un second transistor ayant une source ou un drain qui est connecté à chacun d'un point d'un second potentiel et de la ligne de signal verticale ; un convertisseur N/A ; et un comparateur qui est connecté à la ligne de signal verticale et au convertisseur N/A, le premier potentiel étant fourni à la ligne de signal verticale par le premier transistor, et le premier potentiel étant supérieur au second potentiel.
(JA)
消費電力の低減を図ることができる、固体撮像装置及び電子機器を提供する。 単位画素を有する画素アレイ部と、前記単位画素に接続された垂直信号線と、第1の電位の地点と前記垂直信号線のそれぞれに、ソースまたはドレインが接続された第1のトランジスタと、第2の電位の地点と前記垂直信号線のそれぞれに、ソースまたはドレインが接続された第2のトランジスタと、D/A変換部と、前記垂直信号線と前記D/A変換部とに接続されたコンパレータと、を備え、前記垂直信号線には、前記第1のトランジスタにより前記第1の電位が供給され、前記第1の電位が、前記第2の電位よりも高い、固体撮像装置を提供する。
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