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1. WO2020111083 - LIQUIDE DE REVÊTEMENT DE FORMATION DE FILM D'OXYDE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM D'OXYDE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP

Numéro de publication WO/2020/111083
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/046254
Date du dépôt international 26.11.2019
CIB
H01L 21/316 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
316composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
H01L 21/365 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
36Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
365en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H01L 21/368 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
36Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
368en utilisant un dépôt liquide
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
CPC
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
Déposants
  • RICOH COMPANY, LTD. [JP]/[JP] (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JO, KE, KG, KH, KM, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
  • SAOTOME, Ryoichi [JP]/[JP] (US)
  • UEDA, Naoyuki [JP]/[JP] (US)
  • NAKAMURA, Yuki [JP]/[JP] (US)
  • ABE, Yukiko [JP]/[JP] (US)
  • MATSUMOTO, Shinji [JP]/[JP] (US)
  • SONE, Yuji [JP]/[JP] (US)
  • KUSAYANAGI, Minehide [JP]/[JP] (US)
Inventeurs
  • SAOTOME, Ryoichi
  • UEDA, Naoyuki
  • NAKAMURA, Yuki
  • ABE, Yukiko
  • MATSUMOTO, Shinji
  • SONE, Yuji
  • KUSAYANAGI, Minehide
Mandataires
  • HIROTA, Koichi
Données relatives à la priorité
2018-22435930.11.2018JP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) COATING LIQUID FOR FORMING OXIDE, METHOD FOR PRODUCING OXIDE FILM, AND METHOD FOR PRODUCING FIELD-EFFECT TRANSISTOR
(FR) LIQUIDE DE REVÊTEMENT DE FORMATION DE FILM D'OXYDE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM D'OXYDE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
Abrégé
(EN)
A coating liquid for forming an oxide, the coating liquid including: silicon (Si); and B element, which is at least one alkaline earth metal, wherein when a concentration of an element of the Si is denoted by CA mg/L and a total of concentrations of the B element is denoted by CB mg/L, a total of concentrations of sodium (Na) and potassium (K) in the coating liquid is (CA+CB)/(1×102) mg/L or less and a total of concentrations of chromium (Cr), molybdenum (Mo), manganese (Mn), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), and copper (Cu) in the coating liquid is (CA+CB)/(1×102) mg/L or less.
(FR)
L'invention concerne un liquide de revêtement de formation de film d'oxyde, le liquide de revêtement comprenant : du silicium (Si) ; et un élément B, qui est au moins un métal alcalino-terreux, selon lequel, lorsqu'une concentration d'un élément du Si est désignée par CA mg/l et qu'un total de concentrations de l'élément B est désigné par CB mg/l, un total de concentrations de sodium (Na) et de potassium (K) dans le liquide de revêtement est inférieur ou égal à (CA+CB)/(1×102) mg/l et un total de concentrations de chrome (Cr), de molybdène (Mo), de manganèse (Mn), de fer (Fe), de cobalt (Co), de nickel (Ni) et de cuivre (Cu) dans le liquide de revêtement est inférieur ou égal à (CA+CB)/(1×102) mg/l.
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