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1. WO2020110965 - BUSE À GAZ, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE BUSE À GAZ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA

Numéro de publication WO/2020/110965
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/045876
Date du dépôt international 22.11.2019
CIB
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H01L 21/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
B05B 15/18 2018.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
BAPPAREILLAGES DE PULVÉRISATION; APPAREILLAGES D'ATOMISATION; AJUTAGES OU BUSES
15Parties constitutives des installations ou des appareillages de pulvérisation non prévus ailleurs; Accessoires
14Aménagements pour empêcher ou réguler une détérioration structurelle des appareillages de pulvérisation ou de leurs sorties, p.ex. pour rompre à des emplacements souhaités; Aménagements pour manipuler ou remplacer des parties détériorées
18pour améliorer la résistance à l’usure, p.ex. pièces rapportées ou revêtements; pour indiquer l’usure; pour manipuler ou remplacer les parties usées
CPC
B05B 15/18
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING LIQUIDS OR OTHER FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
15Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
14Arrangements for preventing or controlling structural damage to spraying apparatus or its outlets, e.g. for breaking at desired places; Arrangements for handling or replacing damaged parts
18for improving resistance to wear, e.g. inserts or coatings; for indicating wear; for handling or replacing worn parts
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
Déposants
  • 京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 野口 幸雄 NOGUCHI, Yukio
  • 左橋 知也 SAHASHI, Tomoya
Mandataires
  • 特許業務法人ブナ国際特許事務所 BUNA PATENT ATTORNEYS
Données relatives à la priorité
2018-22052826.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) GAS NOZZLE, METHOD FOR PRODUCING GAS NOZZLE, AND PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) BUSE À GAZ, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE BUSE À GAZ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) ガスノズルおよびガスノズルの製造方法ならびにプラズマ処理装置
Abrégé
(EN)
The gas nozzle of the present disclosure comprises a tube-shaped feed hole for guiding a gas and a spray hole connected to the feed hole. The gas nozzle is for spraying the gas from the spray hole and is formed from a ceramic whose primary component is: a rare earth element oxide; fluoride or acid fluoride; or an yttrium aluminum compound oxide. The maximum value of the arithmetic mean roughness Ra of the inner circumferential surface forming the feed hole is 0.01μm-0.14μm.
(FR)
La buse à gaz de la présente invention comprend un trou d'alimentation en forme de tube pour guider un gaz et un trou de pulvérisation relié au trou d'alimentation. La buse à gaz est destinée à pulvériser le gaz à partir du trou de pulvérisation et est formée à partir d'une céramique dont le composant primaire est : un oxyde d'élément de terre rare; du fluorure ou du fluorure d'acide; ou un oxyde de composé d'yttrium-aluminium. La valeur maximale de la rugosité moyenne arithmétique Ra de la surface circonférentielle interne formant le trou d'alimentation est de 0,01µm à 0,14µm.
(JA)
本開示のガスノズルは、ガスを案内する管状の供給孔と、該供給孔に接続する噴射孔とを備え、該噴射孔より前記ガスを噴射する、希土類元素の酸化物、フッ化物もしくは酸フッ化物、またはイットリウムアルミニウム複合酸化物を主成分とするセラミックスからなるガスノズルであって、前記供給孔を形成する内周面の算術平均粗さRaの最大値が0.01μm~0.14μmである。
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