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1. WO2020110860 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, MODULE DE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE, DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MODULE DE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE

Numéro de publication WO/2020/110860
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/045454
Date du dépôt international 20.11.2019
CIB
H02M 7/48 2007.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
MAPPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
42Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité
44par convertisseurs statiques
48utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H01L 25/07 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H01L 25/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H01L 21/60 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
CPC
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
H02M 7/48
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44by static converters
48using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
Déposants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 柳本 辰則 YANAGIMOTO Tatsunori
  • 井本 裕児 IMOTO Yuji
  • 藤野 純司 FUJINO Junji
Mandataires
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
Données relatives à la priorité
2018-22315229.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER SEMICONDUCTOR MODULE, POWER CONVERSION DEVICE, AND POWER SEMICONDUCTOR MODULE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, MODULE DE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE, DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MODULE DE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) 半導体装置、電力用半導体モジュール、電力変換装置および電力用半導体モジュールの製造方法
Abrégé
(EN)
The purpose of the present invention is to improve the reliability of the interface of a surface electrode of a semiconductor device. The semiconductor device 104 is provided with: a semiconductor substrate 201; an upper surface electrode 109 that is a surface electrode provided on a first principal surface 201a of the semiconductor substrate 201 and a gate pad 109a; a protection film 112 provided on the periphery of the surface electrode; and a first metal film disposed separated from the protection film 112 in a region surrounded by the protection film 112 of the surface electrode. The first metal film is a cold spray film and joined with sheet-like wiring 106a by a solder 107c separated from the protection film 112.
(FR)
L'objet de la présente invention consiste à améliorer la fiabilité de l'interface d'une électrode de surface d'un dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur 104 est pourvu : d'un substrat semi-conducteur 201 ; d'une électrode de surface supérieure 109 qui est une électrode de surface disposée sur une première surface principale 201a du substrat semi-conducteur 201 et d'un plot de grille 109a ; d'un film de protection 112 disposé sur la périphérie de l'électrode de surface ; et d'un premier film métallique disposé séparé du film de protection 112 dans une région entourée par le film de protection 112 de l'électrode de surface. Le premier film métallique est un film de pulvérisation à froid et est relié à un câblage de type feuille 106a par une soudure 107c séparée du film de protection 112.
(JA)
本発明は、半導体装置の表面電極の接合部の信頼性を向上することを目的とする。半導体装置104は、半導体基板201と、半導体基板201の第1主面201a上に設けられた表面電極である上面電極109およびゲートパッド109aと、表面電極の周縁上に設けられた保護膜112と、表面電極の保護膜112で囲まれた領域上に保護膜112と離間して配置された第1金属膜と、を備え、第1金属膜は、コールドスプレー膜であり、保護膜112と離間したはんだ107cにより板状配線106aと接合される。
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