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1. WO2020110850 - STRUCTURE EN CÉRAMIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE EN CÉRAMIQUE

Numéro de publication WO/2020/110850
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/045380
Date du dépôt international 20.11.2019
CIB
H01L 21/683 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
B28B 11/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
28TRAVAIL DU CIMENT, DE L'ARGILE OU DE LA PIERRE
BFAÇONNAGE DE L'ARGILE OU D'AUTRES COMPOSITIONS CÉRAMIQUES, SCORIES OU MÉLANGES CONTENANT DES SUBSTANCES ANALOGUES AU CIMENT, p.ex. DU PLÂTRE
11Appareillages ou procédés pour le traitement ou le travail des objets façonnés
H05B 3/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
3Chauffage par résistance ohmique
02Détails
H05B 3/74 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
3Chauffage par résistance ohmique
68Dispositions pour le chauffage spécialement adaptées aux plaques de cuisinière ou aux plaques chaudes analogues
74Plaques non métalliques
CPC
B28B 11/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
BSHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS, SLAG, OR MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
11Apparatus or processes for treating or working the shaped ; or preshaped; articles
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
H05B 3/02
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
3Ohmic-resistance heating
02Details
H05B 3/74
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
3Ohmic-resistance heating
68Heating arrangements specially adapted for cooking plates or analogous hot-plates
74Non-metallic plates ; , e.g. vitroceramic, ceramic or glassceramic hobs, also including power or control circuits
Déposants
  • 京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 川邊 保典 KAWANABE, Yasunori
  • 石峯 裕作 ISHIMINE, Yuusaku
  • 宗石 猛 MUNEISHI, Takeshi
  • 大川 善裕 OKAWA, Yoshihiro
Mandataires
  • 飯島 康弘 IIJIMA, YASUHIRO
Données relatives à la priorité
2018-22468030.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CERAMIC STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING CERAMIC STRUCTURE
(FR) STRUCTURE EN CÉRAMIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE EN CÉRAMIQUE
(JA) セラミック構造体及びセラミック構造体の製造方法
Abrégé
(EN)
A heater according to the present invention comprises a substrate and an internal conductor. The substrate is composed of ceramic. The internal conductor is positioned in the substrate and has a connection portion. The substrate has a space extending from the connection portion to a lower surface of the substrate. The space includes a first space and a second space. The first space adjoins the connection portion. The second space provides communication between the first space and the outside of the lower surface of the substrate, and is smaller than the first space when viewed in plan through the lower surface of the substrate.
(FR)
Un dispositif de chauffage selon la présente invention comprend un substrat et un conducteur interne. Le substrat est composé de céramique. Le conducteur interne est positionné dans le substrat et a une partie de connexion. Le substrat a un espace s'étendant de la partie de connexion à une surface inférieure du substrat. L'espace comprend un premier espace et un second espace. Le premier espace est contigu à la partie de connexion. Le second espace fournit une communication entre le premier espace et l'extérieur de la surface inférieure du substrat, et est plus petit que le premier espace lorsqu'il est observé dans un plan à travers la surface inférieure du substrat.
(JA)
ヒータは、基体と、内部導体とを有している。基体は、セラミックからなる。内部導体は、基体内に位置しており、接続部を有している。基体は、接続部から当該基体の下面に亘っている空間を有している。空間は、第1空間及び第2空間を有している。第1空間は、接続部に接している。第2空間は、第1空間と基体の下面の外側とを連通しており、基体の下面の平面透視において第1空間よりも小さい。
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