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1. WO2020110695 - ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2020/110695
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/044233
Date du dépôt international 12.11.2019
CIB
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H01L 31/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
H04N 5/369 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H01L 31/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 磯谷 優治 ISOGAI Yuji
  • 渡辺 竜太 WATANABE Ryota
  • 山崎 武 YAMAZAKI Takeshi
Mandataires
  • 西川 孝 NISHIKAWA Takashi
  • 稲本 義雄 INAMOTO Yoshio
  • 三浦 勇介 MIURA Yusuke
Données relatives à la priorité
2018-21998126.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT RECEIVING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 受光素子および電子機器
Abrégé
(EN)
The present technology relates to a light-receiving element and electronic device such that a leak current can be suppressed and current consumption can be reduced. Provided is a light-receiving element comprising a pixel array unit formed by pixels which are two-dimensionally arrayed in a matrix and comprise two taps, that is, a first tap which detects an electric charge photoelectrically converted with a photoelectric conversion unit and a second tap which detects the electric charge photoelectrically converted with the photoelectric conversion unit. A planar region within the pixel excluding the two taps and a pixel transistor region includes: a tap periphery region of an outer peripheral part of the taps; and a pixel transistor vicinity region which is close to the pixel transistor region. In the tap periphery region are formed: a buried oxide film which is formed on the surface on the opposite side of a substrate from a light incidence surface thereof; and a first semiconductor region which is formed on the light incidence surface side of the buried oxide film, is of the same conductivity type as the substrate, and has a higher impurity concentration than a substrate concentration. In the pixel transistor vicinity region is formed a second semiconductor region which is of the same conductivity type as the substrate and has a higher impurity concentration than the substrate concentration. As an example, the present technology can be applied to a light-receiving element which carries out range finding.
(FR)
La présente invention concerne un élément récepteur de lumière et un dispositif électronique pouvant supprimer un courant de fuite et réduire la consommation de courant. L'élément récepteur de lumière comprend une unité de réseau de pixels formée par des pixels qui sont disposés de manière bidimensionnelle dans une matrice et comprennent deux dérivations, c'est-à-dire, une première dérivation qui détecte une charge électrique convertie photoélectriquement au moyen d'une unité de conversion photoélectrique et une seconde dérivation qui détecte la charge électrique convertie photoélectriquement au moyen de l'unité de conversion photoélectrique. Une région planar dans le pixel ne comprenant pas les deux dérivations ni une région de transistor de pixel comprend : une région de périphérie de dérivation d'une partie périphérique externe des dérivations ; et une région de voisinage de transistor de pixel qui est proche de la région de transistor de pixel. Dans la région périphérique de dérivation sont formés : un film d'oxyde enterré qui est formé sur la surface sur le côté opposé d'un substrat à partir de sa surface d'incidence de lumière ; et une première région semi-conductrice qui est formée sur le côté surface d'incidence de lumière du film d'oxyde enterré, qui est du même type de conductivité que le substrat, et qui possède une concentration d'impuretés plus élevée qu'une concentration de substrat. Dans la région de voisinage de transistor de pixel est formée une seconde région semi-conductrice qui est du même type de conductivité que le substrat et qui possède une concentration d'impuretés plus élevée que la concentration de substrat. À titre d'exemple, la présente invention peut être appliquée à un élément récepteur de lumière qui met en œuvre la télémétrie.
(JA)
本技術は、リーク電流を抑制し、消費電流を低減することができるようにする受光素子および電子機器に関する。 受光素子は、光電変換部にて光電変換された電荷を検出する第1のタップと、光電変換部にて光電変換された電荷を検出する第2のタップとの2つのタップを有する画素が行列状に2次元配置された画素アレイ部を備える。画素内の2つのタップと画素トランジスタ領域とを除く平面領域は、タップの外周部のタップ周辺領域と、画素トランジスタ領域に近い画素トランジスタ近傍領域とを含み、タップ周辺領域には、基板の光入射面と反対側の面に形成された埋め込み酸化膜と、埋め込み酸化膜の光入射面側に、基板と同じ導電型で基板濃度よりも濃い不純物濃度の第1半導体領域とが形成され、画素トランジスタ近傍領域には、基板と同じ導電型で基板濃度よりも濃い不純物濃度の第2半導体領域が形成されている。本技術は、例えば、測距を行う受光素子等に適用できる。
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