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1. WO2020110682 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2020/110682
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/044109
Date du dépôt international 11.11.2019
CIB
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H01L 21/677 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
677pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
CPC
H01L 21/027
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
H01L 21/677
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
677for conveying, e.g. between different workstations
Déposants
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • ▲桑▼原 丈二 KUWAHARA Joji
Mandataires
  • 杉谷 勉 SUGITANI Tsutomu
Données relatives à la priorité
2018-22583130.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置
Abrégé
(EN)
This substrate treatment device 1 is provided with a first frame 46, a movable member 51a1, a heat treatment part 37a1, and a transporting mechanism 34a1. The movable member 51a1 is supported by the first frame 46. The movable member 51a1 is movable relative to the first frame 46. The heat treatment part 37a1 is supported by the movable member 51a1. The transporting mechanism 34a1 is supported by the movable member 51a1. The movable member 51a1 moves relative to the first frame 46, whereby the heat treatment part 37a1 moves relative to the first frame 46. The movable member 51a1 moves relative to the first frame 46, whereby the heat treatment part 37a1 moves integrally with the transporting mechanism 34a1.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat 1 comprenant un premier cadre 46, un élément mobile 51a1, une partie de traitement thermique 37a1, et un mécanisme de transport 34a1. L'élément mobile 51a1 est supporté par le premier cadre 46. L'élément mobile 51a1 est mobile par rapport au premier cadre 46. La partie de traitement thermique 37a1 est supportée par l'élément mobile 51a1. Le mécanisme de transport 34a1 est supporté par l'élément mobile 51a1. L'élément mobile 51a1 se déplace par rapport au premier cadre 46, ce qui fait que la partie de traitement thermique 37a1 se déplace par rapport au premier cadre 46. L'élément mobile 51a1 se déplace par rapport au premier cadre 46, ce qui fait que la partie de traitement thermique 37a1 se déplace d'un seul tenant avec le mécanisme de transport 34a1.
(JA)
基板処理装置1は、第1フレーム46と可動部材51a1と熱処理部37a1と搬送機構34a1を備える。可動部材51a1は、第1フレーム46に支持される。可動部材51a1は、第1フレーム46に対して移動可能である。熱処理部37a1は、可動部材51a1に支持される。搬送機構34a1は、可動部材51a1に支持される。可動部材51a1が第1フレーム46に対して移動することによって、熱処理部37a1は、第1フレーム46に対して移動する。可動部材51a1が第1フレーム46に対して移動することによって、熱処理部37a1は、搬送機構34a1と一体に移動する。
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