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1. WO2020109991 - MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE NON VOLATILE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/109991
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/IB2019/060168
Date du dépôt international 26.11.2019
CIB
H01L 27/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
H01L 27/24 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
24comprenant des composants à l'état solide pour le redressement, l'amplification ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface
H01L 45/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 27/24
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
24including solid state components for rectifying, amplifying or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, ; e.g. resistance switching non-volatile memory structures
H01L 45/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
Déposants
  • UNIVERSITY OF SOUTH AFRICA [ZA]/[ZA]
Inventeurs
  • SRINIVASAN, Ananthakrishnan
  • VALLABHAPURAPU, Sreedevi
  • VALLABHAPURAPU, Vijaya Srinivasu
Mandataires
  • SPOOR & FISHER
  • MOUBRAY, Hugh Robert
  • GILSON, David Grant
  • KEMP, Mark
  • WHITTAKER, Jonathan Denis
  • COCHRANE, David Hylton
  • ABRAMSON, Lance
  • MCKNIGHT, John Crawford
  • MAHOMED, Shanaaz
  • KAHN, Craig
  • BIAGIO, Dina
  • CILLIERS, Lodewyk Petrus
  • GRANT, Tyron James
  • BEHARIE, Tertia
  • VAN SCHALKWYK, Herman
  • PIENAAR, Danie
  • HANEKOM, Dirk Christiaan
Données relatives à la priorité
2018/0800027.11.2018ZA
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) NON-VOLATILE RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND A MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE NON VOLATILE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
The invention relates to a non-volatile resistive random access memory (ReRAM), a non-volatile ReRAM composition and to a method for manufacturing a non-volatile non-volatile ReRAM. The ReRAM includes a first electrode, a second electrode and a resistive switching/active layer which is located between the first and second electrodes. The switching layer contains chitosan and aluminium doped/incorporated zinc oxide. The switching/active layer may be configured to perform a switching operation according to an applied voltage. The switching/active layer may be in the form of a film. The switching/active layer may be coated/applied onto the first electrode and the second electrode may be placed/applied/provided over the switching/active layer such that the switching/active layer is located/wedged in-between the two electrodes.
(FR)
L'invention concerne une mémoire vive résistive non volatile (ReRAM), une composition de ReRAM non volatile et un procédé de fabrication d'un ReRAM non volatile. Le ReRAM comprend une première électrode, une seconde électrode et une couche de commutation/active résistive qui est située entre les première et seconde électrodes. La couche de commutation contient du chitosane et de l'oxyde de zinc dopé/incorporé à l'aluminium. La couche de commutation/active peut être configurée pour effectuer une opération de commutation en fonction d'une tension appliquée. La couche de commutation/active peut se présenter sous la forme d'un film. La couche de commutation/active peut être appliquée/recouverte sur la première électrode et la seconde électrode peut être placée/appliquée/disposée sur la couche de commutation/active de telle sorte que la couche de commutation/active est située/coincée entre les deux électrodes.
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