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1. WO2020109873 - ÉLÉMENT D'IMPÉDANCE AVEC SUPPRESSION D'OSCILLATION EN MODE IMPAIR INTÉGRÉE

Numéro de publication WO/2020/109873
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/IB2019/052286
Date du dépôt international 20.03.2019
CIB
H01L 23/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
64Dispositions relatives à l'impédance
66Adaptations pour la haute fréquence
H03F 1/56 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
1Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
56Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H03F 3/189 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
189Amplificateurs à haute fréquence, p.ex. amplificateurs radiofréquence
H03F 3/213 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
20Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C
21comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
213dans des circuits intégrés
H03F 3/195 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
189Amplificateurs à haute fréquence, p.ex. amplificateurs radiofréquence
19comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
195dans des circuits intégrés
CPC
H01L 2223/6672
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2223Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
64Impedance arrangements
66High-frequency adaptations
6661for passive devices
6672for integrated passive components, e.g. semiconductor device with passive components only
H01L 2223/6683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2223Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
64Impedance arrangements
66High-frequency adaptations
6683for monolithic microwave integrated circuit [MMIC]
H01L 23/66
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for ; , e.g. in combination with batteries
64Impedance arrangements
66High-frequency adaptations
H03F 1/565
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
565using inductive elements
H03F 2200/222
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
222A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
H03F 2200/387
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
387A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
Déposants
  • TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (PUBL) [SE]/[SE]
Inventeurs
  • SALMOND, Rob
  • CONRADI, Carl
  • SYCHALEUN, Somsack
Mandataires
  • WEISBERG, Alan M.
Données relatives à la priorité
62/773,40330.11.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) IMPEDANCE ELEMENT WITH BUILT-IN ODD-MODE OSCILLATION SUPPRESSION
(FR) ÉLÉMENT D'IMPÉDANCE AVEC SUPPRESSION D'OSCILLATION EN MODE IMPAIR INTÉGRÉE
Abrégé
(EN)
A transistor package for a power amplifier is provided. The transistor package includes a plurality of radio frequency, RF, paths that includes a first RF path and second RF path. Each RF path includes a transistor-carrying die and at least one 5 impedance element. The transistor package includes a circuit portion electrically coupling a first impedance element in the first RF path to a second impedance element in the second RF path where the circuit portion includes at least one resistor.
(FR)
L'invention concerne un boîtier de transistors pour un amplificateur de puissance. Le boîtier de transistors comprend une pluralité de trajets radiofréquence (RF) qui comprend un premier trajet RF et un second trajet RF. Chaque trajet RF comprend une puce portant un transistor et au moins un élément d'impédance. Le boîtier de transistors comprend une partie circuit couplant électriquement un premier élément d'impédance dans le premier trajet RF à un second élément d'impédance dans le second trajet RF, la partie circuit comprenant au moins une résistance.
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