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1. WO2020109298 - COMPOSITION FORMANT DU SILICIUM AMORPHE COMPRENANT UN COPOLYMÈRE SÉQUENCÉ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN FILM DE SILICIUM AMORPHE L'UTILISANT

Numéro de publication WO/2020/109298
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2019/082577
Date du dépôt international 26.11.2019
CIB
C08G 77/42 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
77Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
42Polymères séquencés ou greffés contenant des segments de polysiloxanes
C08G 77/452 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
77Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
42Polymères séquencés ou greffés contenant des segments de polysiloxanes
452contenant des segments de polymères contenant de l'azote
C08G 77/60 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
77Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
60dans lesquels tous les atomes de silicium sont liés autrement que par des atomes d'oxygène
C08G 77/62 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
77Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
60dans lesquels tous les atomes de silicium sont liés autrement que par des atomes d'oxygène
62par des atomes d'azote
C09D 183/16 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
DCOMPOSITIONS DE REVÊTEMENT, p.ex. PEINTURES, VERNIS OU VERNIS-LAQUES; APPRÊTS EN PÂTE; PRODUITS CHIMIQUES POUR ENLEVER LA PEINTURE OU L'ENCRE; ENCRES; CORRECTEURS LIQUIDES; COLORANTS POUR BOIS; PRODUITS SOLIDES OU PÂTEUX POUR COLORIAGE OU IMPRESSION; EMPLOI DE MATÉRIAUX À CET EFFET
183Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone; Compositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères
16dans lesquels tous les atomes de silicium sont liés autrement que par des atomes d'oxygène
H01L 21/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
CPC
C08G 77/42
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
77Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
42Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
C08G 77/452
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
77Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
42Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
452containing nitrogen-containing sequences
C08G 77/60
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
77Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
60in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
C08G 77/62
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
77Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
60in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
62Nitrogen atoms
C09D 183/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
183Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
16in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
H01L 21/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Déposants
  • MERCK PATENT GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • NAKAMOTO, Naoko
  • FUJIWARA, Takashi
  • SATO, Atsuhiko
Données relatives à la priorité
2018-22363629.11.2018JP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) AMORPHOUS SILICON FORMING COMPOSITION COMPRISING BLOCK COPOLYMER AND METHOD FOR PRODUCING AMORPHOUS SILICON FILM USING SAME
(FR) COMPOSITION FORMANT DU SILICIUM AMORPHE COMPRENANT UN COPOLYMÈRE SÉQUENCÉ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN FILM DE SILICIUM AMORPHE L'UTILISANT
Abrégé
(EN)
To provide an amorphous silicon forming composition, which has high affinity with a substrate, is excellent in filling properties,and is capable of forming a thick film. [Means for Solution] An amorphous silicon forming composition comprising: (a) a block copolymer comprising a linear and/or cyclic block A having a polysilane skeleton comprising 5 or more silicon and a block B having a polysilazane skeleton comprising 20 or more silicon, wherein at least one silicon in the block A and at least one silicon in the block B are connected by a single bond and/or a crosslinking group comprising silicon, and (b) a solvent.
(FR)
La présente invention vise à fournir une composition de formation de silicium amorphe, qui a une affinité élevée avec un substrat, présente d'excellentes propriétés de remplissage, et est capable de former un film épais. L'invention concerne par conséquent une composition formant du silicium amorphe qui comprend : (A) un copolymère séquencé comprenant une séquence A linéaire et/ou cyclique ayant un squelette polysilane comprenant 5 silicium ou plus et une séquence B ayant un squelette polysilazane comprenant 20 silicium ou plus, au moins un silicium dans la séquence A et au moins un silicium dans la séquence B étant reliés par une liaison simple et/ou un groupe de réticulation comprenant du silicium, et (b) un solvant.
Également publié en tant que
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