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1. WO2020108603 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE D'INTERCONNEXION SEMI-CONDUCTRICE ET STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ASSOCIÉE

Numéro de publication WO/2020/108603
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/121911
Date du dépôt international 29.11.2019
CIB
H01L 23/522 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
CPC
H01L 23/522
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
Déposants
  • CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • WU, Pingheng
Mandataires
  • SHANGHAI SAVVY INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY
Données relatives à la priorité
201811460134.630.11.2018CN
201822028209.530.11.2018CN
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR INTERCONNECT STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE THEREOF
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE D'INTERCONNEXION SEMI-CONDUCTRICE ET STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ASSOCIÉE
Abrégé
(EN)
A semiconductor interconnect structure and a fabricating method thereof are disclosed. The method comprises: providing a stacked structure comprising bonded multiple layers of wafer or die, each bonded layer comprises a substrate and a wiring layer, and the wiring layer comprises metal wires; vertically forming, in the stacked structure, a first blind hole having a first diameter and a first length and penetrating each bonded layer between adjacent metal wires, the first diameter is less than a space between the adjacent metal wires, and the first length is less than a height of the stacked structure; forming a second blind hole having a second diameter and the first length coaxially with the first blind hole, a sidewall of the second blind hole exposes the metal wires, and the second diameter is larger than the space between the adjacent metal wires; and filling a conductive material in the second blind hole.
(FR)
La présente invention concerne une structure d'interconnexion semi-conductrice et son procédé de fabrication. Le procédé comprend les étapes consistant à : fournir une structure empilée comprenant de multiples couches liées de plaquettes ou de puces, chaque couche liée comprenant un substrat et une couche de câblage, et la couche de câblage comprenant des fils métalliques ; former verticalement, dans la structure empilée, un premier trou borgne ayant un premier diamètre et une première longueur et pénétrant chaque couche liée entre des fils métalliques adjacents, le premier diamètre étant inférieur à un espace entre les fils métalliques adjacents, et la première longueur étant inférieure à une hauteur de la structure empilée ; former un second trou borgne ayant un second diamètre et la première longueur, coaxial par rapport au premier trou borgne, une paroi latérale du second trou borgne exposant les fils métalliques, et le second diamètre étant plus grand que l'espace entre les fils métalliques adjacents ; et remplir le second trou borgne d'un matériau conducteur.
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