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1. WO2020108387 - DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, CONDITIONNEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/108387
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/120074
Date du dépôt international 22.11.2019
CIB
H01L 23/482 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
482formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 25/065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
CPC
H01L 21/768
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
H01L 23/482
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
482consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
H01L 25/065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
065the devices being of a type provided for in group H01L27/00
Déposants
  • CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • WU, Ping-Heng
  • WANG, Mei-Li
Mandataires
  • SHANGHAI SAVVY INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY
Données relatives à la priorité
201811434025.728.11.2018CN
201821974884.028.11.2018CN
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, FABRICATION METHOD THEREOF, PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, CONDITIONNEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
A semiconductor device is disclosed. The device includes a stacked structure and an electrode. The stacked structure includes at least one die, the electrode is located on a side surface of the stacked structure, and the electrode has a length greater than or equal to a thickness of the die in a thickness direction of the die. The semiconductor device does not need a micro-bump for connection, thereby allowing a thinner stacked structure. The electrodes are disposed on the side surface of the stacked structure, thus it is not necessary to provide a connection at the wiring layer, or reserve connection position when designing the circuit. The length of the electrode in the thickness direction of the die is greater than or equal to the thickness of the die, facilitating the connection of circuits on a plurality of dies.
(FR)
L’invention concerne un dispositif semi-conducteur. Le dispositif inclut une structure empilée et une électrode. La structure empilée inclut au moins une puce, l’électrode est située sur une surface latérale de la structure empilée, et l’électrode a une longueur supérieure ou égale à une épaisseur de la puce dans une direction de l’épaisseur de la puce. Le dispositif semi-conducteur n’a pas besoin d’une microbille pour la connexion, permettant ainsi une structure empilée plus mince. Les électrodes sont disposées sur la surface latérale de la structure empilée, si bien qu’il n’est pas nécessaire de réaliser une connexion au niveau de la couche de câblage, ou de réserver une position de connexion lors de la conception du circuit. La longueur de l’électrode dans la direction de l’épaisseur de la puce est supérieure ou égale à l’épaisseur de la puce, facilitant la connexion de circuits sur une pluralité de puces.
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