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1. WO2020108383 - MATÉRIAU THERMOÉLECTRIQUE INORGANIQUE À BASE DE SULFURE D'ARGENT, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET SON UTILISATION

Numéro de publication WO/2020/108383
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/120005
Date du dépôt international 21.11.2019
CIB
H01L 35/16 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
12Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction
14utilisant des compositions inorganiques
16comprenant du tellure, du sélénium, ou du soufre
CPC
H01L 35/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
35Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. exhibiting Seebeck or Peltier effect with or without other thermoelectric effects or thermomagnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
12Selection of the material for the legs of the junction
14using inorganic compositions
16comprising tellurium or selenium or sulfur
H01L 35/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
35Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. exhibiting Seebeck or Peltier effect with or without other thermoelectric effects or thermomagnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
28operating with Peltier or Seebeck effect only
32characterised by the structure or configuration of the cell or thermo-couple forming the device ; including details about, e.g., housing, insulation, geometry, module
H01L 35/34
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
35Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. exhibiting Seebeck or Peltier effect with or without other thermoelectric effects or thermomagnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
34Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Déposants
  • 中国科学院上海硅酸盐研究所 SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 史迅 SHI, Xun
  • 仇鹏飞 QIU, Pengfei
  • 杨世琪 YANG, Shiqi
  • 梁佳晟 LIANG, Jiasheng
  • 王拓 WANG, Tuo
  • 陈立东 CHEN, Lidong
Mandataires
  • 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) HANQIAO PATENT
Données relatives à la priorité
201811435457.X28.11.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SILVER-SULFIDE-BASED INORGANIC THERMOELECTRIC MATERIAL, PREPARATION METHOD THEREFOR AND USE THEREOF
(FR) MATÉRIAU THERMOÉLECTRIQUE INORGANIQUE À BASE DE SULFURE D'ARGENT, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET SON UTILISATION
(ZH) 一种硫化银基无机热电材料及其制备方法和应用
Abrégé
(EN)
Disclosed are a silver-sulfide-based inorganic thermoelectric material, a preparation method therefor and the use thereof, wherein the chemical formula of the silver-sulfide-based inorganic thermoelectric material is Ag2(S1-xMx), M is at least one of Se and Te, and 0.001 ≤ x ≤ 0.9.
(FR)
L'invention concerne un matériau thermoélectrique inorganique à base de sulfure d'argent, son procédé de préparation et son utilisation. La formule chimique du matériau thermoélectrique inorganique à base de sulfure d'argent est Ag2(S1-xMx), où M est du Se et/ou du Te, et 0,001 ≤ x ≤ 0,9.
(ZH)
一种硫化银基无机热电材料及其制备方法和应用,所述硫化银基无机热电材料的化学式为Ag 2(S 1-xM x),其中M为Se元素和Te元素中的至少一种,0.001≤x≤0.9。
Également publié en tant que
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