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1. WO2020108365 - STRUCTURE DE MODULE DE DEMI-PONT IGBT

Numéro de publication WO/2020/108365
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/119747
Date du dépôt international 20.11.2019
CIB
H01L 25/07 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H01L 23/498 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488formées de structures soudées
498Connexions électriques sur des substrats isolants
CPC
H01L 2224/0603
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
06of a plurality of bonding areas
0601Structure
0603Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
H01L 2224/49111
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
49of a plurality of wire connectors
491Disposition
4911the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
49111the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
H01L 2224/49175
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
49of a plurality of wire connectors
491Disposition
4912Layout
49175Parallel arrangements
H01L 23/498
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
488consisting of soldered ; or bonded; constructions
498Leads, ; i.e. metallisations or lead-frames; on insulating substrates, ; e.g. chip carriers
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
Déposants
  • 烟台台芯电子科技有限公司 YANTAI TAIXIN ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 臧天程 ZANG, Tiancheng
  • 张茹 ZHANG, Ru
  • 姜维宾 JIANG, Weibin
  • 金浩 JIN, Hao
  • 安勇 AN, Yong
Mandataires
  • 北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙) BEIJING ZHONGCHUANG BOTEN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY (GENERAL PARTNERSHIP)
Données relatives à la priorité
201821972731.228.11.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) IGBT HALF-BRIDGE MODULE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE MODULE DE DEMI-PONT IGBT
(ZH) 一种IGBT半桥模块结构
Abrégé
(EN)
An IGBT half-bridge module structure. A left IGBT chip (4) and a left FRD chip (5) are provided on a left DBC (2), the left IGBT chip (4) and the left FRD chip (5) are welded to the upper end of the left DBC (2) by means of a solder paste, a left G electrode signal terminal (6) is led out from the left IGBT chip (4), and a left E electrode signal terminal (7) is led out from the left FRD chip (5); and a right IGBT chip (8) and a right FRD chip (9) are provided on a right DBC (3), the right IGBT chip (8) and the right FRD chip (9) are welded to the upper end of the right DBC (3) by means of the solder paste, the right IGBT chip (8) is connected to the right FRD chip (9), and a right G electrode signal terminal (10) and a right E electrode signal terminal (11) are led out from the right IGBT chip (8). Said structure uses a bonding connection instead of a single-core copper conductor welding solution, reducing production difficulty, improving production efficiency, increasing current bearing capability of products, and enhancing the reliability of long-term use of the products.
(FR)
L'invention concerne une structure de module de demi-pont IGBT. Une puce d'IGBT gauche (4) et une puce de FRD gauche (5) sont disposées sur un DBC gauche (2), la puce d'IGBT gauche (4) et la puce de FRD gauche (5) sont soudées au niveau de l'extrémité supérieure du DBC gauche (2) au moyen d'une pâte à souder, une borne de signal d'électrode G gauche (6) est sortie de la puce d'IGBT gauche (4), et une borne de signal d'électrode gauche (7) est sortie de la puce de FRD gauche (5) ; et une puce d'IGBT droite (8) et une puce de FRD droite (9) sont disposées sur un DBC droit (3), la puce d'IGBT droite (8) et la puce de FRD droite (9) sont soudées au niveau de l'extrémité supérieure du DBC droit (3) au moyen de la pâte à souder, la puce d'IGBT droite (8) est connectée à la puce de FRD droite (9), et une borne de signal d'électrode G droite (10) et une borne de signal d'électrode E droite (11) sont sorties de la puce d'IGBT droite (8). Ladite structure utilise une connexion de liaison au lieu d'une solution de soudage de conducteur de cuivre à noyau unique, réduisant la difficulté de production, améliorant l'efficacité de production, augmentant la capacité de porteur de courant de produits, et améliorant la fiabilité d'utilisation à long terme des produits.
(ZH)
一种IGBT半桥模块结构,左路DBC(2)上设有左路IGBT芯片(4)和左路FRD芯片(5),左路IGBT芯片(4)和左路FRD芯片(5)通过锡膏焊接在左路DBC(2)上端,左路IGBT芯片(4)引出有左路G极信号端子(6),左路FRD芯片(5)引出有左路E极信号端子(7);右路DBC(3)上设有右路IGBT芯片(8)和右路FRD芯片(9),右路IGBT芯片(8)和右路FRD芯片(9)通过锡膏焊接在右路DBC(3)上端,右路IGBT芯片(8)和右路FRD芯片(9)连接,右路IGBT芯片(8)引出有右路G极信号端子(10)和右路E极信号端子(11)。该结构摒弃单芯铜导线焊接方案,采用键合打线连接,降低了生产难度,提高了生产效率,提升了产品电流承载能力,增强产品长期使用的可靠性。
Également publié en tant que
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