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1. WO2020108171 - PUCE ÉMETTRICE DE RADAR LASER À RÉSEAU À COMMANDE DE PHASE DE MATÉRIAU MIXTE, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET RADAR LASER

Numéro de publication WO/2020/108171
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/112399
Date du dépôt international 22.10.2019
CIB
G01S 7/481 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
SDÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES
7Détails des systèmes correspondant aux groupes G01S13/, G01S15/, G01S17/135
48de systèmes selon le groupe G01S17/56
481Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
G01S 7/484 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
SDÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES
7Détails des systèmes correspondant aux groupes G01S13/, G01S15/, G01S17/135
48de systèmes selon le groupe G01S17/56
483Détails de systèmes à impulsions
484Emetteurs
CPC
G01S 7/481
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
7Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
48of systems according to group G01S17/00
481Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
G01S 7/483
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
7Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
48of systems according to group G01S17/00
483Details of pulse systems
G01S 7/484
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
7Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
48of systems according to group G01S17/00
483Details of pulse systems
484Transmitters
Déposants
  • 北京万集科技股份有限公司 BEIJING WANJI TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 王鹏飞 WANG, Pengfei
  • 徐洋 XU, Yang
  • 张冶金 ZHANG, Yejin
  • 于红艳 YU, Hongyan
  • 潘教青 PAN, Jiaoqing
  • 王庆飞 WANG, Qingfei
  • 田林岩 TIAN, Linyan
Mandataires
  • 北京同立钧成知识产权代理有限公司 LEADER PATENT & TRADEMARK FIRM
Données relatives à la priorité
201811423751.927.11.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) MIXED-MATERIAL PHASED ARRAY LASER RADAR EMITTING CHIP, MANUFACTURING METHOD, AND LASER RADAR
(FR) PUCE ÉMETTRICE DE RADAR LASER À RÉSEAU À COMMANDE DE PHASE DE MATÉRIAU MIXTE, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET RADAR LASER
(ZH) 混合材料相控阵激光雷达发射芯片、制作方法及激光雷达
Abrégé
(EN)
Disclosed are a mixed-material phased array laser radar emitting chip, a manufacturing method, and a laser radar. The mixed-material phased array laser radar emitting chip comprises: a first material structure layer (4), an SOI silicon waveguide structure layer (3), and a coupling connection structure (5), wherein the first material structure layer (4) is in optical path connection with the SOI silicon waveguide structure layer (3) via the coupling connection structure (5); the first material structure layer (4) is used for coupling input light to a chip; the coupling connection structure (5) is used for carrying out beam splitting on a light wave coupled to the chip, and coupling each beam of the light wave subjected to beam splitting to a silicon waveguide corresponding to the SOI silicon waveguide structure layer (3); and the non-linear coefficient of a first material in the first material structure layer (4) is lower than the non-linear coefficient of silicon, and the first material is a material compatible with a CMOS process, such that the power of light input into the mixed-material phased array laser radar emitting chip is greatly increased, thereby greatly improving the detection performance of the laser radar.
(FR)
L'invention concerne une puce émettrice de radar laser à réseau à commande de phase de matériau mixte, un procédé de fabrication et un radar laser. La puce émettrice de radar laser à réseau à commande de phase de matériau mixte comprend : une première couche de structure de matériau (4), une couche de structure de guide d'ondes en silicium SOI (3), et une structure de liaison de couplage (5), la première couche de structure de matériau (4) est en liaison de trajet optique avec la couche de structure de guide d'ondes en silicium SOI (3) par l'intermédiaire de la structure de liaison de couplage (5) ; la première couche de structure de matériau (4) est utilisée pour coupler une lumière d'entrée à une puce ; la structure de liaison de couplage (5) est utilisée pour effectuer une division de faisceau sur une onde lumineuse couplée à la puce, et coupler chaque faisceau de l'onde lumineuse soumise à une division de faisceau à un guide d'ondes en silicium correspondant à la couche de structure de guide d'ondes en silicium SOI (3) ; et le coefficient non linéaire d'un premier matériau dans la première couche de structure de matériau (4) est inférieur au coefficient non linéaire de silicium, et le premier matériau est un matériau compatible avec un processus CMOS, de telle sorte que la puissance d'entrée de lumière dans la puce d'émission de radar laser à réseau à commande de phase de matériau mixte soit fortement augmentée, ce qui permet d'améliorer considérablement les performances de détection du radar laser.
(ZH)
一种混合材料相控阵激光雷达发射芯片、制作方法及激光雷达,混合材料相控阵激光雷达发射芯片,包括:第一材料结构层(4)、SOI硅波导结构层(3)和耦合连接结构(5),第一材料结构层(4)通过耦合连接结构(5)与SOI硅波导结构层(3)进行光路连接;第一材料结构层(4),用于将输入光耦合到芯片上;耦合连接结构(5),用于对耦合到芯片上的光波进行分束,并将分束后每束光波耦合到SOI硅波导结构层(3)对应的硅波导中;其中,第一材料结构层(4)中的第一材料的非线性系数低于硅的非线性系数,且第一材料为与CMOS工艺相兼容的材料,使得输入到混合材料相控阵激光雷达发射芯片里的光功率大幅提高,从而极大的改善激光雷达的探测性能。
Également publié en tant que
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