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1. WO2020108097 - PROCÉDÉ DE MAINTIEN D'UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR ULTRA-MINCE DANS UN PROCESSUS D'INTÉGRATION DE SEMI-CONDUCTEUR

Document

说明书

发明名称 0001   0002   0003   0004   0005   0006   0007   0008   0009   0010   0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048  

权利要求书

1   2   3   4   5   6   7   8   9  

附图

1   2   3   4   5   6   7   8   9  

说明书

发明名称 : 一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法

技术领域

[0001]
本发明属于半导体工艺技术领域,具体涉及一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法。

背景技术

[0002]
半导体芯片三维堆叠集成技术是后摩尔时代电子元器件进一步小型化、轻量化、多功能化和智能化的关键途径之一,通过将多种半导体器件或晶圆在垂直方向堆叠集成,能够在减小系统体积、减轻重量的同时,实现综合性能的提高。一般来说,待集成晶圆已经完成或大部分完成了正面和背面工艺,为了提高器件电路的电学性能、提高散热效率、减小封装体积等,需要将半导体晶圆减薄至100um以下甚至更低。随着晶圆厚度的降低,超薄半导体晶圆自身不再具有足够的强度来保持平整的状态,由于应力和自身重力的原因,超薄半导体晶圆极易发生变形和卷曲,在夹取、传片和工艺过程中容易碎裂。此外,半导体芯片特别是微波毫米波等芯片表面,分布中众多空气桥结构的布线,晶圆受到的应力及由此产生的大尺度形变容易导致空气桥结构发生断裂。
[0003]
针对这一问题,需要开发一种高可靠、高效率的超薄半导体晶圆拿持方法,来满足半导体三维集成工艺中超薄半导体晶圆在传输、夹取、互连结构制作以及键合等三维集成工艺过程中的强度和可靠性要求,提高三维集成的成品率。
[0004]
发明内容
[0005]
本发明的目的在于提供一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法,解决超薄器件晶圆在半导体集成工艺中的传输、夹取、互连结构制作以及键合等三维集成工艺过程中的裂片问题,降低晶圆的破碎率,提高集成工艺的成品率。
[0006]
实现本发明目的的技术解决方案为:一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法,包括以下步骤:
[0007]
1)在第一临时载片正面旋涂第一临时键合粘附剂;
[0008]
2)将超薄半导体晶圆与第一临时载片正面相对进行键合;
[0009]
3)在第二临时载片正面旋涂第二临时键合粘附剂;
[0010]
4)将粘附第一临时载片的超薄半导体晶圆背面与第二临时载片正面相对进行键合;
[0011]
5)将超薄半导体晶圆与第一临时载片分离,并清洗超薄半导体晶圆正面;
[0012]
6)制备集成互连结构;
[0013]
7)进行键合集成工艺;
[0014]
8)将集成后的超薄半导体晶圆与第二临时载片进行分离。
[0015]
与现有技术相比,本发明的显著优点为:通过两种临时键合粘附剂及两片临时载片的配合使用,利用临时键合和解键合工艺,使得超薄半导体晶圆在传输、夹取、互连结构制作以及键合等三维集成工艺中均有载片支撑,且不会对芯片电路本身造成损坏,有利于 降低集成工艺过程中裂片的风险,提高键合集成成品率。

附图说明

[0016]
图1是超薄半导体器件晶圆示意图。
[0017]
图2是在第一临时载片正面旋涂第一临时键合粘附剂示意图。
[0018]
图3是将超薄半导体晶圆与第一临时载片正面相对键合示意图。
[0019]
图4是在第二临时载片正面旋涂第二临时键合粘附剂示意图。
[0020]
图5是将粘附第一临时载片的超薄半导体晶圆背面与第二临时载片正面相对键合示意图。
[0021]
图6是将超薄半导体晶圆与第一临时载片分离示意图。
[0022]
图7是在超薄半导体晶圆正面制备集成互连结构示意图。
[0023]
图8是将超薄半导体晶圆与其他超薄半导体晶圆或芯片进行键合集成示意图。
[0024]
图9是将集成结构与第二临时载片分离示意图。

具体实施方式

[0025]
下面结合附图进一步描述本发明的技术方案。
[0026]
一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法,包括以下步骤:
[0027]
①对完成正面和背面工艺的超薄半导体晶圆1进行电学性能测试:对完成正面和背面工艺后的超薄半导体晶圆1进行在片直流电学测试和在片微波性能测试,统计出芯片成品率,标注好有问题的芯片位置,超薄半导体晶圆材料为Si、GaAs、GaN、SiC、InP材料的任意一种,厚度为200um以下,如图1所示。
[0028]
②在第一临时载片2正面旋涂第一临时键合粘附剂3:在第一临时载片2正面旋涂适量的第一临时键合粘附剂3,选用的第一粘附剂3为光刻胶、HT10.10、Su 8、Prolift 100等常用临时键合胶中的一种,选用的第一临时载片2为蓝宝石、Si片、SiC片、AlN片材料的其中一种。根据需要的厚度将旋涂转速设置为1000-5000转/分钟,旋涂时间为30秒-1分钟,将涂好第一临时键合粘附剂3的第一临时载片2正面朝上放在热板上预烘烤,热板温度设置为110-150℃,时间为2-4分钟,如图2所示。
[0029]
③将超薄半导体晶圆1与第一临时载片2正面相对进行键合:将超薄半导体晶圆1与第一临时载片2的正面贴合在一起,用键合机进行临时键合,键合温度设置在150-250℃,键合时间为15-60分钟,如图3所示。
[0030]
④在第二临时载片4正面旋涂第二临时键合粘附剂5:在第二临时载片4正面旋涂临时键合粘附剂,根据需要的厚度将旋涂转速设置为1000-5000转/分钟,旋涂时间为30秒-1分钟,将涂好第二临时键合粘附剂5的第二临时载片4正面朝上放在热板上预烘烤,热板温度设置为110-150℃,时间为2-4分钟。第二临时载片4为蓝宝石、Si片、SiC片、AlN片材料的其中一种,为减小热失配,第二临时载片材料和第一临时载片材料相同,第二粘附剂5为光刻胶、HT10.10、Su 8、Prolift 100等常用临时键合胶中的一种,如图4所示。第一临时键合粘附剂分离温度小于第二临时键合粘附剂软化温度,第二临时键合粘附剂软化温度小于第一临时键合粘附剂失效温度,第二临时键合粘附剂分离温度小于器件和电路能承受的最高温度。
[0031]
⑤将粘附第一临时载片2的超薄半导体晶圆1背面与第二临时载片4正面相对进行键合:将第二临时载片4正面与粘附第一临时载片2的超薄半导体晶圆4背面相对贴合在一起,用键合机进行键合,键合温度设置在150-250℃,键合时间为15-60分钟,如图5所示。
[0032]
⑥将超薄半导体晶圆1与第一临时载片2分离,并清洗超薄半导体晶圆1正面:将带有第一、第二临时载片的超薄半导体晶圆1正面朝上放置在加热台上进行加热,加热温度为200-250℃,通过热滑动剥离法将超薄半导体晶圆1与第一临时载片2分离,并用去胶剂、丙酮、酒精等化学溶剂清洗超薄半导体晶圆1正面,如图6所示。
[0033]
⑦制备集成互连结构:在粘附第二临时载片4的超薄半导体晶圆1正面制备凸点、焊盘等集成互连结构6,如图7所示。
[0034]
⑧键合集成工艺:将制备好集成互连结构6的超薄半导体晶圆1与其他超薄半导体晶圆7或芯片8进行集成工艺,其他超薄半导体晶圆或芯片为Si、GaAs、GaN、SiC、InP等材料器件的任意一种或几种,如图8所示。
[0035]
⑨将集成后的晶圆与第二载片进行分离:将键合集成完的晶圆结构正面朝下放置在加热台上进行加热,加热温度为200℃-300℃,通过热滑动剥离法将其与第二临时载片4分离,再用去胶剂、丙酮、酒精等化学溶剂清洗超薄半导体晶圆1,并再次进行后续集成和测试等工艺,如图9所示。
[0036]
下面通过实施例对本发明内容做进一步说明。
[0037]
实施例
[0038]
一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法,包括以下步骤:
[0039]
①将完成器件、电路制备的GaAs圆片减薄至100um后完成通孔刻蚀、电镀等背面工艺,再对100um厚的GaAs器件晶圆进行在片直流电学测试和在片微波性能测试,标注好有问题的芯片位置。
[0040]
②采用第一蓝宝石片作为第一临时载片,在第一临时载片上旋涂10um厚的第一临时键合粘附剂HT10.10,旋涂转速为2000转/分钟,旋涂时间为60s,将涂好第一临时键合粘附剂的第一临时载片正面朝上放在热板上预烘烤,热板温度设置为110℃,时间为2分钟。
[0041]
③将超薄GaAs晶圆与第一临时载片正面相对贴合在一起,用键合机在180℃下键合15分钟。
[0042]
④采用第二蓝宝石片作为第二临时载片,在第二临时载片上旋涂10um厚的第二临时键合粘附剂Prolift 100,旋涂转速为2000转/分钟,旋涂时间为60s,将涂好第二临时键合粘附剂的第二临时载片正面朝上放在热板上预烘烤,热板温度设置为150℃,时间为2分钟。
[0043]
⑤将粘附第一临时载片的超薄GaAs晶圆背面与第二临时载片正面相对贴合在一起,用键合机在200℃下键合15分钟。
[0044]
⑥将带有第一临时载片、第二临时载片的超薄GaAs晶圆正面朝上放置在加热台上进行加热,加热温度为220℃,通过热滑动剥离法将超薄半导体晶圆与第一临时载片分离,并用去胶剂、丙酮、酒精清洗超薄GaAs晶圆正面。
[0045]
⑦在粘附第二临时载片的超薄GaAs晶圆正面电镀5um厚的金属凸点。
[0046]
⑧将超薄GaAs晶圆与Si CMOS芯片进行键合集成。
[0047]
⑨将键合后的GaAs和CMOS晶圆结构正面朝下放置在加热台上进行加热,加热温度 为250℃,通过热滑动剥离法将其与第二临时载片分离,再用去胶剂、丙酮、酒精清洗晶圆表面,并再次进行后续集成和测试等工艺。
[0048]
经过以上步骤,就实现了用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持。

权利要求书

[权利要求 1]
一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法,其特征在于,包括以下步骤: 1)在第一临时载片正面旋涂第一临时键合粘附剂; 2)将超薄半导体晶圆与第一临时载片正面相对进行键合; 3)在第二临时载片正面旋涂第二临时键合粘附剂; 4)将粘附第一临时载片的超薄半导体晶圆背面与第二临时载片正面相对进行键合; 5)将超薄半导体晶圆与第一临时载片分离,并清洗超薄半导体晶圆正面; 6)制备集成互连结构; 7)进行键合集成工艺; 8)将集成后的超薄半导体晶圆与第二临时载片进行分离。
[权利要求 2]
根据权利要求1所述的用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法,其特征在于,步骤1)中,所述第一临时载片为蓝宝石、Si片、SiC片或AlN片,所述第一临时键合粘附剂为光刻胶、HT10.10、Su 8或Prolift 100。
[权利要求 3]
根据权利要求1所述的用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法,其特征在于,步骤2)中,所述超薄半导体晶圆为Si、GaAs、GaN、SiC或InP。
[权利要求 4]
根据权利要求1或3所述的用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法,其特征在于,所述超薄半导体晶圆的厚度不大于200um。
[权利要求 5]
根据权利要求1所述的用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法,其特征在于,步骤4)中,所述第二临时载片为蓝宝石、Si片、SiC片或AlN片,所述第二临时键合粘附剂为光刻胶、HT10.10、Su 8或Prolift 100。
[权利要求 6]
根据权利要求5所述的用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法,其特征在于,第二临时载片材料和第一临时载片材料相同。
[权利要求 7]
根据权利要求1、2或5所述的用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法,其特征在于,第一临时键合粘附剂分离温度小于第二临时键合粘附剂软化温度,第二临时键合粘附剂软化温度小于第一临时键合粘附剂失效温度,第二临时键合粘附剂分离温度小于器件和电路能承受的最高温度。
[权利要求 8]
根据权利要求1所述的用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法,其特征在于,步骤6)中,所述集成互连结构为金属凸点或焊盘结构。
[权利要求 9]
根据权利要求1或8所述的用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法,其特征在于,步骤7)中,将制备好集成互连结构的超薄半导体晶圆与其他超薄半导体晶圆或芯片进行键合集成工艺,其他超薄半导体晶圆或芯片为Si、GaAs、GaN、SiC、InP中的任意一种或几种。

附图

[ 图 1]  
[ 图 2]  
[ 图 3]  
[ 图 4]  
[ 图 5]  
[ 图 6]  
[ 图 7]  
[ 图 8]  
[ 图 9]