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1. WO2020108073 - DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINTS QUANTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION

Numéro de publication WO/2020/108073
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/108354
Date du dépôt international 27.09.2019
CIB
H01L 51/50 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
CPC
H01L 51/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
H01L 51/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
56Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices or of parts thereof
Déposants
  • TCL科技集团股份有限公司 TCL TECHNOLOGY GROUP CORPORATION [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 吴劲衡 WU, Jinheng
  • 吴龙佳 WU, Longjia
  • 何斯纳 HE, Sina
Mandataires
  • 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) JOHNSON INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY(SHENZHEN)
Données relatives à la priorité
201811432326.628.11.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING DIODE AND PREPARATION METHOD THEREOF
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINTS QUANTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种量子点发光二极管及其制备方法
Abrégé
(EN)
A quantum dot light-emitting diode and a preparation method thereof, wherein, the quantum dot light-emitting diode comprises a hole transport layer, and the hole transport layer material comprises a PAMAM dendrimer and metal oxide nanoparticles bound to an amino group on the PAMAM dendrimer.
(FR)
L'invention concerne une diode électroluminescente à points quantiques et son procédé de préparation, la diode électroluminescente à points quantiques comprenant une couche de transport de trous, et le matériau de couche de transport de trous comprenant un dendrimère PAMAM et des nanoparticules d'oxyde métallique liées à un groupe amino sur le dendrimère PAMAM.
(ZH)
一种量子点发光二极管及其制备方法,其中,所述量子点发光二极管包括空穴传输层,所述空穴传输层材料包括PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基结合的金属氧化物纳米颗粒。
Également publié en tant que
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