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1. WO2020107782 - PUCE DE SOURCE DE LUMIÈRE DE SURFACE ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ASSOCIÉE

Numéro de publication WO/2020/107782
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/083915
Date du dépôt international 23.04.2019
CIB
H01L 33/46 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
46Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
CPC
H01L 33/46
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
Déposants
  • 武汉华星光电技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 杨勇 YANG, Yong
Mandataires
  • 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) ESSEN PATENT & TRADEMARK AGENCY
Données relatives à la priorité
201811458791.730.11.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SURFACE LIGHT SOURCE CHIP AND LIGHT-EMITTING DIODE THEREOF
(FR) PUCE DE SOURCE DE LUMIÈRE DE SURFACE ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ASSOCIÉE
(ZH) 一种面光源芯片及其发光二极管
Abrégé
(EN)
A surface light source chip (100) and a light-emitting diode thereof. The surface light source chip (100) comprises a sapphire substrate (1), an N-type GaN buffer layer (2) under the sapphire substrate (1), and a chip positive electrode region (10) and a chip negative electrode region (20) formed under the N-type GaN buffer layer (2), the chip positive electrode region (10) comprising an N-type GaN layer (3), an MQW light-emitting layer (4), an ODR layer (5) and a chip positive electrode (6) in sequence from top to bottom, and the chip negative electrode region (20) comprising a chip negative electrode (7). The light emitting diode comprises the surface light source chip (100). Replacing, on the surface light source chip (100), a distributed Bragg reflector DBR with an omni-directional reflector ODR (5) enables the light intensity distribution of the chip (100) to be more uniform within the light emitting angle range, improving the overall light mixing uniformity of the entire surface of a surface light source, thereby ensuring that the surface light source has a good light mixing effect and high light emission efficiency when the chips thereof are arranged at a large pitch.
(FR)
L'invention concerne une puce de source de lumière de surface (100) et une diode électroluminescente associée. La puce de source de lumière de surface (100) comprend un substrat de saphir (1), une couche tampon de GaN du type N (2) sous le substrat de saphir (1), et une région d'électrode positive de puce (10) et une région d'électrode négative de puce (20) formées sous la couche tampon de GaN du type N (2), la région d'électrode positive de puce (10) comprenant une couche de GaN du type N (3), une couche électroluminescente MQW (4), une couche ODR (5) et une électrode positive de puce (6) en séquence de haut en bas, et la région d'électrode négative de puce (20) comprenant une électrode négative de puce (7). La diode électroluminescente comprend la puce de source de lumière de surface (100). Par le remplacement, sur la puce de source de lumière de surface (100), d'un réflecteur Bragg réparti (DBR) par un réflecteur omnidirectionnel (ODR) (5), la distribution d'intensité lumineuse de la puce (100) est rendue plus uniforme dans la plage d'angle d'émission de lumière, d'où une amélioration de l'uniformité de mélange de lumière globale de toute la surface d'une source de lumière de surface, ce qui permet de garantir que la source de lumière de surface dispose d'un bon effet de mélange de lumière et d'une efficacité d'émission de lumière élevée lorque les puces de cette dernière sont disposées selon un grand pas.
(ZH)
一种面光源芯片(100)及其发光二极管。面光源芯片(100)包括蓝宝石基板(1)、蓝宝石基板(1)下方的N型GaN缓冲层(2)以及在N型GaN缓冲层(2)下方形成的芯片正极区(10)和芯片负极区(20),其中,所述芯片正极区(10)从上到下依次包括N型GaN层(3)、MQW发光层(4)、ODR层(5)及芯片正极(6),所述芯片负极区(20)包括芯片负极(7)。发光二极管包括上述面光源芯片(100)。通过在面光源芯片(100)上采用全角度反射膜层ODR层(5)替代布拉格反射膜层DBR,使芯片(100)在出光角度范围内光强分布更加均匀,从整体上提升面光源整面混光均匀性,从而保证面光源在大pitch芯片排布时较好的混光效果和较高的发光效率。
Également publié en tant que
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