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1. WO2020095738 - DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE

Numéro de publication WO/2020/095738
Date de publication 14.05.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/042090
Date du dépôt international 28.10.2019
CIB
H02M 7/48 2007.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
MAPPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
42Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité
44par convertisseurs statiques
48utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
Déposants
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 石松 祐司 ISHIMATSU Yuji
  • 古谷 竜一 FURUTANI Ryuichi
Mandataires
  • 吉田 稔 YOSHIDA Minoru
  • 臼井 尚 USUI Takashi
Données relatives à la priorité
2018-21059108.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 電力変換装置
Abrégé
(EN)
A power conversion device A1 comprises: a semiconductor device B1 provided with a control chip that constitutes a primary-side control circuit, a semiconductor chip that constitutes a secondary-side power circuit, and a transmission circuit that electrically insulates the primary-side control circuit and the secondary-side power circuit, and has a signal transmission function between the primary-side control circuit and the secondary-side power circuit; and a substrate H on which the semiconductor device B1 is mounted. The substrate H has a conductive section K. The power conversion device A1 comprises a connection terminal T1 that is provided to the substrate H, and is conductive with the conductive section K. The power conversion device A1 comprises a conductive passage D1, at least a part of which is constituted from the conductive section K of the substrate H, and which causes the primary-side control circuit and the connection terminal T1 of the semiconductor device B1 to be electrically conductive. Due to this configuration, it is possible to reduce the size of the power conversion device A1.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de conversion de puissance A1 comprenant : un dispositif à semi-conducteur B1 pourvu d'une puce de commande qui constitue un circuit de commande côté primaire, d'une puce semi-conductrice qui constitue un circuit de puissance côté secondaire, et d'un circuit de transmission qui isole électriquement le circuit de commande côté primaire et le circuit d'alimentation côté secondaire, et qui assure une fonction de transmission de signal entre le circuit de commande côté primaire et le circuit d'alimentation côté secondaire ; et un substrat H sur lequel est monté le dispositif à semi-conducteur B1. Le substrat H comporte une section conductrice K. Le dispositif de conversion de puissance A1 comprend une borne de connexion T1 qui est disposée sur le substrat H et qui est conductrice avec la section conductrice K. Le dispositif de conversion de puissance A1 comprend un passage conducteur D1, dont au moins une partie est constituée de la section conductrice K du substrat H, et qui amène le circuit de commande côté primaire et la borne de connexion T1 du dispositif à semi-conducteur B1 à être électriquement conducteurs. Cette configuration permet de réduire la taille du dispositif de conversion de puissance A1.
(JA)
電力変換装置A1は、1次側制御回路を構成する制御チップ、2次側電力回路を構成する半導体チップおよび前記1次側制御回路と前記2次側電力回路とを電気的に絶縁し且つ前記1次側制御回路と前記2次側電力回路との信号伝達機能を有する伝達回路、を備える半導体装置B1と、半導体装置B1が搭載された基板Hと、を備える。基板Hは、導電部Kを有する。電力変換装置A1は、基板Hに設けられ且つ導電部Kに導通する接続端子T1を備える。電力変換装置A1は、少なくとも一部が基板Hの導電部Kによって構成され且つ半導体装置B1の前記1次側制御回路と接続端子T1とを電気的に導通させる導通経路D1を備える。このような構成により、電力変換装置A1の小型化を図ることができる。
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