Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Goto Application

1. WO2020093622 - PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN SUBSTRAT DE RÉSEAU ANTIREFLET, ET SUBSTRAT DE RÉSEAU ANTIREFLET AINSI PRÉPARÉ

Numéro de publication WO/2020/093622
Date de publication 14.05.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/075813
Date du dépôt international 22.02.2019
CIB
G02F 1/1343 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
1333Dispositions relatives à la structure
1343Electrodes
G03F 7/027 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
027Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p.ex. composés éthyléniques
H01L 27/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
CPC
G03F 7/027
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
H01L 27/124
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
124with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
Déposants
  • 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 张霞 ZHANG, Xia
  • 刘刚 LIU, Gang
Mandataires
  • 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) ESSEN PATENT & TRADEMARK AGENCY
Données relatives à la priorité
201811316656.907.11.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PREPARING ANTI-REFLECTION ARRAY SUBSTRATE, AND ANTI-REFLECTION ARRAY SUBSTRATE PREPARED THEREBY
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN SUBSTRAT DE RÉSEAU ANTIREFLET, ET SUBSTRAT DE RÉSEAU ANTIREFLET AINSI PRÉPARÉ
(ZH) 减反阵列基板的制备方法及其制备的减反阵列基板
Abrégé
(EN)
Disclosed is a method for preparing an anti-reflection array substrate, the method comprising: providing a base substrate (10); preparing a photoresist solution, wherein the photoresist solution comprises an acrylate metal precursor, acrylic acid resin, a photo initiator, a solvent and an auxiliary; coating the photoresist solution on the base substrate (10) to form a photoresist layer (20); treating the photoresist layer (20) by means of a yellow-light process to form a patterned structure (21); and carrying out heat treatment on the patterned structure (21) to form an anti-reflection conductive structure (22), so as to obtain an anti-reflection array substrate.
(FR)
L'invention concerne un procédé de préparation d'un substrat de réseau antireflet, le procédé consistant : à fournir un substrat de base (10) ; à préparer une solution de résine photosensible, la solution de résine photosensible contenant un précurseur d'acrylate de métal, une résine d'acide acrylique, un photo-initiateur, un solvant et un auxiliaire ; à revêtir la solution de résine photosensible sur le substrat de base (10) de manière à former une couche de résine photosensible (20) ; à traiter la couche de résine photosensible (20) au moyen d'un procédé à la lumière jaune de manière à former une structure à motifs (21) ; et à effectuer un traitement thermique sur la structure à motifs (21) de manière à former une structure conductrice antireflet (22), ce qui permet d'obtenir un substrat de réseau antireflet.
(ZH)
一种减反阵列基板的制备方法,包括:提供一衬底基板(10);配置一光阻溶液,光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂;将光阻溶液涂布于衬底基板(10)上形成一光阻层(20);采用黄光制程对光阻层(20)进行处理,形成一图案化结构(21);对图案化结构(21)进行热处理以形成一减反导电结构(22),从而得到减反阵列基板。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international