Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Goto Application

1. WO2020093013 - PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION DE PLASMA DE HAUTE QUALITÉ POUR DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE ASSISTÉ

Numéro de publication WO/2020/093013
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/059544
Date du dépôt international 01.11.2019
CIB
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H05H 1/46 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24Production du plasma
46utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
Déposants
  • LAM RESEARCH CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • LAVOIE, Adrien
  • PATRICK, Roger
  • VAN SCHRAVENDIJK, Bart
  • HENRI, Jon
Mandataires
  • LEE, David, F.
  • PENILLA, Alberts
Données relatives à la priorité
62/754,52201.11.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR GENERATING HIGH QUALITY PLASMA FOR ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION DE PLASMA DE HAUTE QUALITÉ POUR DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE ASSISTÉ
Abrégé
(EN)
A method for performing plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) on a substrate includes: flowing a precursor into a process volume over a surface of a substrate, the precursor being configured to adsorb onto the surface of the substrate; performing a first purge of the process volume; flowing an oxidant gas into the process volume that is over the surface of the substrate; applying inductive RE power to the oxidant gas in the process volume to generate a plasma over the substrate, the applying inductive RE power being performed under a zero applied bias condition, the plasma being configured to convert the precursor that adsorbed onto the surface of the substrate into a film product; performing a second purge of the process volume; repeating the operations of the method until a predefined thickness of the film product is deposited onto the surface of the substrate.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de réalisation d'un dépôt de couche atomique assisté par plasma (PEALD) sur un substrat comprenant les étapes consistant à : faire circuler un précurseur dans un volume de traitement sur une surface d'un substrat, le précurseur étant conçu pour être adsorbé à la surface du substrat ; effectuer une première purge du volume de traitement ; faire circuler un gaz oxydant dans le volume de traitement qui se trouve à la surface du substrat ; appliquer une puissance RE inductive au gaz oxydant dans le volume de traitement pour générer un plasma sur le substrat, l'application d'une puissance de RE inductive étant effectuée dans une condition de polarisation appliquée nulle, le plasma étant conçu pour convertir le précurseur qui a été adsorbé à la surface du substrat en un produit de film ; effectuer une seconde purge du volume de traitement ; répéter les opérations du procédé jusqu'à ce qu'une épaisseur prédéfinie du produit de film soit déposée sur la surface du substrat.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international