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1. WO2020092547 - SYNTHÈSE DE NANOSTRUCTURE ASSISTÉE PAR RAYONNEMENT ET COMPOSITIONS DE CELLE-CI

Numéro de publication WO/2020/092547
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/058843
Date du dépôt international 30.10.2019
CIB
B22F 9/24 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
22FONDERIE; MÉTALLURGIE DES POUDRES MÉTALLIQUES
FTRAVAIL DES POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION D'OBJETS À PARTIR DE POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION DE POUDRES MÉTALLIQUES; APPAREILS OU DISPOSITIFS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS AUX POUDRES MÉTALLIQUES
9Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
16par un procédé chimique
18avec réduction de mélanges métalliques
24à partir de mélanges métalliques liquides, p.ex. de solutions
H01B 1/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
BCÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
1Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
02composés principalement de métaux ou d'alliages
H01B 13/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
BCÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
13Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles
Déposants
  • UNIVERSTY OF WASHINGTON [US]/[US]
Inventeurs
  • HOLMBERG, Vincent
  • PANDRES, Elena
  • PAUZAUSKIE, Peter, J.
  • CRANE, Matthew, J.
  • DAVIS, E, James
Mandataires
  • ZHENG, Juan
Données relatives à la priorité
62/753,02630.10.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) RADIATION-ASSISTED NANOSTRUCTURE SYNTHESIS AND COMPOSITIONS THEREOF
(FR) SYNTHÈSE DE NANOSTRUCTURE ASSISTÉE PAR RAYONNEMENT ET COMPOSITIONS DE CELLE-CI
Abrégé
(EN)
The present disclosure describes radiation-assisted, substrate-free, and solution-based nanostructure (e.g., a nanotube and/or a nanowire (NW)) growth processes. The processes use the high absorption coefficient and high density of free charge carriers in particle seeds (e.g., nanoparticles, metal nanoparticles, and/or metal nanocrystals) to photothermally drive semiconductor nanostructure growth. The processes can be performed at atmospheric pressure, without specialized equipment such as specialized heating equipment and/or high-pressure reaction vessels.
(FR)
La présente invention concerne des procédés d'étirement d'une nanostructure assistée par rayonnement, exempte de substrat et à base de solution (par exemple, un nanotube et/ou un nanofil (NW)). Les procédés utilisent le coefficient d'absorption élevé et la densité élevée de porteurs de charge libres dans des germes de particules (par exemple, des nanoparticules, des nanoparticules métalliques et/ou des nanocristaux métalliques) pour commander par effet photothermique la croissance de nanostructures semi-conductrices. Les procédés peuvent être réalisés à une pression atmosphérique, sans équipement spécialisé tel qu'un équipement de chauffage spécialisé et/ou récipients de réaction à haute pression.
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